GA1210Y152KBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率開關(guān)應用�(shè)計。該器件采用先進的溝槽� MOSFET 技�(shù)制�,具有低導通電阻和快速開�(guān)特�,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、電源管理模塊等應用。其封裝形式緊湊,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效能的需��
該芯片在高頻工作條件下表�(xiàn)出色,同時具備良好的熱性能,確保了長時間穩(wěn)定運行�
型號:GA1210Y152KBLAT31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�120V
最大柵源電�(V_GS):�20V
連續(xù)漏極電流(I_D)�10A
導通電�(R_DS(on))�15mΩ(典型�,V_GS=10V�
總柵極電�(Q_g)�45nC
反向恢復時間(t_rr)�45ns
功�(PD)�160W
工作溫度范圍(T_A)�-55� � +175�
封裝形式:TO-263-3L
GA1210Y152KBLAT31G 具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電� R_DS(on),有效降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,適用于高頻應用�(huán)��
3. 高擊穿電� (120V),保證了可靠性和耐用��
4. 出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的性能輸出�
5. 小型化封�,有助于減少 PCB 占用空間�
6. 支持大電流操�,適應多種負載需求�
7. 廣泛的工作溫度范� (-55� � +175�),使其非常適合工�(yè)和汽車級應用�
該芯片適用于以下應用場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動電�,如無刷直流電機控制�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電控��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
5. 汽車電子�(lǐng)域中的負載開�(guān)和逆變��
6. LED �(qū)動電路中的功率調(diào)節(jié)部分�
7. 其他需要高效能功率切換的應用場��
IRFZ44N, STP10NK60Z, FDP18N12A