GA1210Y153JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
該芯片具有出色的熱性能和電氣性能,適合在高電流和高頻�(yīng)用中使用。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中�(jìn)行布局�
型號(hào):GA1210Y153JBXAT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.6mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
總柵極電�(Qg)�48nC
輸入電容(Ciss)�2350pF
開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA1210Y153JBXAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下顯著降低功耗�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
3. 高耐壓能力(Vds=120V�,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 出色的熱�(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境中也能保持良好的性能�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于�(jiǎn)化PCB布局并節(jié)省空��
6. 具備較高的抗雪崩能力和ESD保護(hù)功能,提高了整體系統(tǒng)的可靠性�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supply)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋臂開關(guān)�
4. �(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率控制元��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
由于其高效的功率處理能力和寬廣的工作電壓范圍,這款MOSFET非常適合需要高可靠性和高效率的電力電子�(yīng)��
IRFZ44N
FDP5800
AON7904
STP10NK06Z