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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y153JBXAT31G

GA1210Y153JBXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/12 5:31:58 查看 閱讀�6

GA1210Y153JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等場(chǎng)景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  該芯片具有出色的熱性能和電氣性能,適合在高電流和高頻�(yīng)用中使用。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中�(jìn)行布局�

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y153JBXAT31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.6mΩ(典型值,在Vgs=10V�(shí)�
  總柵極電�(Qg)�48nC
  輸入電容(Ciss)�2350pF
  開關(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

GA1210Y153JBXAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流條件下顯著降低功耗�
  2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻應(yīng)�,減少開�(guān)損��
  3. 高耐壓能力(Vds=120V�,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  4. 出色的熱�(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境中也能保持良好的性能�
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),有助于�(jiǎn)化PCB布局并節(jié)省空��
  6. 具備較高的抗雪崩能力和ESD保護(hù)功能,提高了整體系統(tǒng)的可靠性�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supply)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋臂開關(guān)�
  4. �(fù)載開�(guān)及保�(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率控制元��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  由于其高效的功率處理能力和寬廣的工作電壓范圍,這款MOSFET非常適合需要高可靠性和高效率的電力電子�(yīng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  AON7904
  STP10NK06Z

ga1210y153jbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-