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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y153KBAAT31G

GA1210Y153KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 15:28:51 查看 閱讀�15

GA1210Y153KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  該芯片適用于需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中,其封裝形式和電氣特性使其在緊湊型設(shè)�(jì)中表�(xiàn)尤為突出�

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�26A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:9ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1210Y153KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)減少開關(guān)損��
  3. 采用DPAK封裝,具備良好的散熱性能,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
  4. 支持寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. 出色的雪崩耐量和抗靜電能力,增�(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性和可靠��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于各種功率電子�(lǐng)域,具體�(yīng)用包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器和適配器�
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高速開�(guān)能力,GA1210Y153KBAAT31G 在提升能效和減小體積方面表現(xiàn)出色,非常適合現(xiàn)代化電力電子�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP160N10
  FDP180N10S
  IXYS16N10P4

ga1210y153kbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-