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GA1210Y153KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 15:28:51 查看 閱讀:15

GA1210Y153KBAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
  該芯片適用于需要高效能和高可靠性的工業(yè)及消費(fèi)類電子設(shè)備中,其封裝形式和電氣特性使其在緊湊型設(shè)計(jì)中表現(xiàn)尤為突出。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流:26A
  導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷:45nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:9ns
  工作溫度范圍:-55℃至175℃

特性

GA1210Y153KBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以有效降低傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合,同時(shí)減少開關(guān)損耗。
  3. 采用DPAK封裝,具備良好的散熱性能,支持高功率密度設(shè)計(jì)。
  4. 支持寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
  6. 出色的雪崩耐量和抗靜電能力,增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性和可靠性。

應(yīng)用

這款芯片廣泛應(yīng)用于各種功率電子領(lǐng)域,具體應(yīng)用包括:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的充電器和適配器。
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
  由于其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)能力,GA1210Y153KBAAT31G 在提升能效和減小體積方面表現(xiàn)出色,非常適合現(xiàn)代化電力電子設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP160N10
  FDP180N10S
  IXYS16N10P4

ga1210y153kbaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-