GA1210Y154KXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該型號(hào)采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合于各種電源管理�(chǎng)�,包括DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源(SMPS)以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)�。其封裝形式和電氣性能確保了在高溫和高�(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行�
該器件通過(guò)�(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),在提高系統(tǒng)效率的同�(shí)降低了開(kāi)�(guān)損耗。此�,它還具備出色的熱特性和魯棒�,能夠適�(yīng)�(yán)苛的工作�(huán)��
型號(hào):GA1210Y154KXAAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓VDS�1200V
最大柵源電壓VGS:�20V
最大連續(xù)漏極電流ID�10A
�(dǎo)通電阻RDS(on)�150mΩ(典型��25℃時(shí)�
總柵極電荷Qg�80nC
輸入電容Ciss�1200pF
反向恢復(fù)�(shí)間trr�60ns
工作溫度范圍TJ�-55� � +175�
GA1210Y154KXAAR31G 的主要特性如下:
1. 高擊穿電壓:高達(dá)1200V的漏源電壓使其適用于高壓工業(yè)�(chǎng)��
2. 超低�(dǎo)通電阻:在同類產(chǎn)品中表現(xiàn)出色,有助于減少�(dǎo)通損��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度:低柵極電荷和反向恢�(fù)�(shí)�,顯著降低開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失�
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)�,適合惡劣環(huán)境的�(yīng)用�
5. 小尺寸封裝:�(yōu)化的外形�(shè)�(jì)節(jié)省了PCB空間,便于布局與散熱處��
6. 可靠性高:經(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)�,具備較�(qiáng)的抗浪涌能力,延�(zhǎng)使用壽命�
這些特點(diǎn)使該MOSFET成為高要求電力電子設(shè)備的理想選擇�
GA1210Y154KXAAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換電路中,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):支持無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電�(dòng)�(jī)控制�
3. 太陽(yáng)能逆變器:作為功率�(jí)組件�(shí)�(xiàn)最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)�
4. 不間斷電源(UPS):在備用電源系�(tǒng)中充�(dāng)�(guān)鍵的功率�(kāi)�(guān)元件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化:如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器等�(lǐng)��
6. 汽車電子:例如車載充電器、LED�(qū)�(dòng)及電�(dòng)車相�(guān)系統(tǒng)等�
憑借其�(yōu)異的性能,這款MOSFET幾乎可以覆蓋所有需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
GA1210Y154KXAAR31H, GA1210Y154KXAAR31J, IRFP460, STW12NM50