GA1210Y154MBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和信號(hào)切換等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等特點(diǎn)。其封裝形式為 LFPAK8,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,主要針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。由于其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,它被廣泛用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備中。
類(lèi)型:N溝道 MOSFET
封裝:LFPAK8
最大漏源電壓(Vds):150V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):-76A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.9mΩ
柵極電荷(Qg):80nC
總電容(Ciss):1450pF
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 1MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1210Y154MBAAR31G 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高電流處理能力,支持大負(fù)載應(yīng)用。
3. 快速開(kāi)關(guān)速度,適合高頻電路設(shè)計(jì)。
4. 強(qiáng)大的熱性能表現(xiàn),確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 小型化的 LFPAK8 封裝,節(jié)省 PCB 空間。
這些特性使該器件非常適合需要高效能和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場(chǎng)景。
GA1210Y154MBAAR31G 可用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器的核心開(kāi)關(guān)元件。
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)切換。
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)電路。
6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源模塊。
憑借其卓越的性能,該芯片能夠?yàn)楦黝?lèi)應(yīng)用提供可靠的解決方案。
GA1210Y154MBBAR31G, IRF7754PbF, FDP16N10B