GA1210Y183JBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制造工�,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等場景。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率和可靠��
此器件通過�(yōu)化設(shè)計降低了開關(guān)損�,并具備良好的電磁兼容性(EMC)特性,使其在各種工�(yè)和消費類電子�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:120V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
總柵電荷�95nC
輸入電容�4600pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1210Y183JBCAR31G的核心優(yōu)勢在于其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅�1.8mΩ(典型值),這使得它非常適合大電流應(yīng)用場�。同時,它的總柵電荷較低,有助于實現(xiàn)快速開�(guān)操作并減少開�(guān)損��
此外,該芯片還具備以下特點:
- 高效散熱�(shè)�,確保長時間�(wěn)定運��
- �(nèi)置ESD保護電路,增強了抗靜電能��
- 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封��
- 提供卓越的可靠性和耐用�,在極端溫度條件下仍能保持良好性能�
這款功率MOSFET適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于:
- 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
- 電動工具及家用電器中的直流電機控制;
- 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與電池管理�
- 太陽能逆變器和其他可再生能源設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊;
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率驅(qū)動單��
IRFP2907, FDP18N120, STW92N120