GA1210Y183JBCAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效提升系統(tǒng)效率并降低功耗。
此型號屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET,其封裝形式為 TO-263(DPAK),適用于需要高效能功率管理的工業(yè)及消費(fèi)類電子設(shè)備。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:35A
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷:45nC
開關(guān)時間:開通延遲時間 17ns,關(guān)斷延遲時間 24ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1210Y183JBCAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗,提升整體效率。
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 高電流處理能力,支持大功率負(fù)載。
4. 具備出色的熱穩(wěn)定性,在極端溫度條件下依然能夠保持良好的性能。
5. 內(nèi)置反向二極管,可簡化電路設(shè)計并保護(hù)器件免受反向電流損害。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率級組件。
3. 各類電機(jī)驅(qū)動控制器中的功率輸出級。
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 的充放電路徑控制。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率開關(guān)模塊。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換與保護(hù)電路。
IRF3710, FDP5800, AO3400