GA1210Y183JBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用場�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,具備良好的散熱性能,便于在各種�(fù)雜環(huán)境中使用�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�1200pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y183JBLAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以減少傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻操作,適合�(xiàn)代高效能電源�(shè)�(jì)�
3. 較小的柵極電荷和輸出電荷,有助于降低�(qū)動損��
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. �(qiáng)大的浪涌電流承受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這款功率 MOSFET 被廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 電機(jī)�(qū)動電路中作為功率級控制元件�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
4. 新能源汽車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)�
5. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器等電力電子變換裝置�
6. 充電器、適配器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
IRFP2907ZPBF, FDP18N120APBF, IXFN120N12T2