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GA1210Y183JBLAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 17:51:16 查看 閱讀�3

GA1210Y183JBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該芯片屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用場�。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,具備良好的散熱性能,便于在各種�(fù)雜環(huán)境中使用�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�65nC
  輸入電容�1200pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y183JBLAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可以減少傳導(dǎo)損�,提升整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻操作,適合�(xiàn)代高效能電源�(shè)�(jì)�
  3. 較小的柵極電荷和輸出電荷,有助于降低�(qū)動損��
  4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. �(qiáng)大的浪涌電流承受能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的魯棒��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 被廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中作為功率級控制元件�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 新能源汽車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)�
  5. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器等電力電子變換裝置�
  6. 充電器、適配器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��

替代型號

IRFP2907ZPBF, FDP18N120APBF, IXFN120N12T2

ga1210y183jblat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-