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GA1210Y183JXBAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/9 17:52:27 查看 閱讀:3

GA1210Y183JXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和開關(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式適合高密度電路設(shè)計,并且能夠承受較高的電流和電壓,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
  該器件在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠在高頻條件下保持較低的損耗,同時提供穩(wěn)定的性能和可靠的保護(hù)功能。

參數(shù)

型號:GA1210Y183JXBAR31G
  類型:功率 MOSFET
  極性:N溝道
  最大漏源電壓(Vdss):60V
  最大連續(xù)漏電流(Id):40A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3mΩ
  柵極電荷(Qg):55nC
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210Y183JXBAR31G 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻,僅為 3mΩ,這使得它在大電流應(yīng)用中具有極高的效率并減少了功率損耗。此外,該芯片支持高達(dá) 40A 的連續(xù)漏電流和 60V 的最大漏源電壓,確保了其在各種負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
  芯片還具備快速開關(guān)能力,其柵極電荷為 55nC,有助于降低開關(guān)損耗,特別是在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)突出。同時,其工作溫度范圍廣,適應(yīng)從極端低溫到高溫的工作環(huán)境,進(jìn)一步增強(qiáng)了其實(shí)用性。
  另外,該芯片采用了 TO-247 封裝,具有良好的散熱性能,便于集成到復(fù)雜電路系統(tǒng)中,同時保證了長期運(yùn)行的穩(wěn)定性。

應(yīng)用

GA1210Y183JXBAR31G 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,例如開關(guān)模式電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、逆變器以及電機(jī)驅(qū)動等。由于其出色的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻,這款芯片非常適合用于高功率密度的設(shè)計。
  此外,它還可以用于不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、太陽能逆變器和其他工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域,它可作為筆記本電腦適配器或電視機(jī)電源的關(guān)鍵組件。

替代型號

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP069N06S

ga1210y183jxbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-