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GA1210Y183JXBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 17:52:27 查看 閱讀�3

GA1210Y183JXBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)動和開關(guān)電源等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式適合高密度電路設(shè)�,并且能夠承受較高的電流和電壓,適用于多種工�(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
  該器件在開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠在高頻條件下保持較低的損�,同時提供穩(wěn)定的性能和可靠的保護(hù)功能�

參數(shù)

型號:GA1210Y183JXBAR31G
  類型:功� MOSFET
  極性:N溝道
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大連續(xù)漏電�(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3mΩ
  柵極電荷(Qg)�55nC
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y183JXBAR31G 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電�,僅� 3mΩ,這使得它在大電流�(yīng)用中具有極高的效率并減少了功率損�。此�,該芯片支持高達(dá) 40A 的連續(xù)漏電流和 60V 的最大漏源電�,確保了其在各種�(fù)載條件下的穩(wěn)定性和可靠��
  芯片還具備快速開�(guān)能力,其柵極電荷� 55nC,有助于降低開關(guān)損耗,特別是在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)突出。同時,其工作溫度范圍廣,適�(yīng)從極端低溫到高溫的工作環(huán)�,�(jìn)一步增�(qiáng)了其�(shí)用��
  另外,該芯片采用� TO-247 封裝,具有良好的散熱性能,便于集成到�(fù)雜電路系�(tǒng)�,同時保證了長期�(yùn)行的�(wěn)定性�

�(yīng)�

GA1210Y183JXBAR31G 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景,例如開�(guān)模式電源(SMPS)、直�-直流�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)動等。由于其出色的電流承載能力和低導(dǎo)通電�,這款芯片非常適合用于高功率密度的�(shè)計�
  此外,它還可以用于不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、太陽能逆變器和其他工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模�。在消費(fèi)電子�(chǎn)品領(lǐng)�,它可作為筆記本電腦適配器或電視�(jī)電源的關(guān)鍵組��

替代型號

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP069N06S

ga1210y183jxbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-