時間：2025/6/9 17:52:27
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GA1210Y183JXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動和開關(guān)電源等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式適合高密度電路設(shè)計，并且能夠承受較高的電流和電壓，適用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備。
該器件在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠在高頻條件下保持較低的損耗，同時提供穩(wěn)定的性能和可靠的保護(hù)功能。
型號：GA1210Y183JXBAR31G
類型：功率 MOSFET
極性：N溝道
最大漏源電壓(Vdss)：60V
最大連續(xù)漏電流(Id)：40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3mΩ
柵極電荷(Qg)：55nC
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：TO-247
GA1210Y183JXBAR31G 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻，僅為 3mΩ，這使得它在大電流應(yīng)用中具有極高的效率并減少了功率損耗。此外，該芯片支持高達(dá) 40A 的連續(xù)漏電流和 60V 的最大漏源電壓，確保了其在各種負(fù)載條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
芯片還具備快速開關(guān)能力，其柵極電荷為 55nC，有助于降低開關(guān)損耗，特別是在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)突出。同時，其工作溫度范圍廣，適應(yīng)從極端低溫到高溫的工作環(huán)境，進(jìn)一步增強(qiáng)了其實(shí)用性。
另外，該芯片采用了 TO-247 封裝，具有良好的散熱性能，便于集成到復(fù)雜電路系統(tǒng)中，同時保證了長期運(yùn)行的穩(wěn)定性。
GA1210Y183JXBAR31G 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景，例如開關(guān)模式電源(SMPS)、直流-直流轉(zhuǎn)換器、逆變器以及電機(jī)驅(qū)動等。由于其出色的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，這款芯片非常適合用于高功率密度的設(shè)計。
此外，它還可以用于不間斷電源(UPS)系統(tǒng)、太陽能逆變器和其他工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。在消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域，它可作為筆記本電腦適配器或電視機(jī)電源的關(guān)鍵組件。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP069N06S
