GA1210Y183MBAAT31G 是一款高性能的射� (RF) 功率放大器芯�,廣泛應用于無線通信領域。該芯片基于先進的 GaN(氮化鎵)工藝制�,具備高效率、高功率密度和寬帶寬特�,適用于蜂窩基站、雷達系�(tǒng)和其他需要大功率輸出的應用場��
該器件在設計上優(yōu)化了散熱性能,同時支持線性及非線性工作模式,滿足不同應用場景的需��
型號:GA1210Y183MBAAT31G
工藝:GaN(氮化鎵�
頻率范圍:DC � 12GHz
增益�10dB
飽和輸出功率�50W
電源電壓�28V
靜態(tài)電流:待補充
封裝形式:陶瓷氣密封�
工作溫度范圍�-40� � +85�
GA1210Y183MBAAT31G 具有以下主要特性:
1. 高效率:采用 GaN 工藝,能夠在高頻段提供更高的功率附加效率 (PAE),從而降低整體功��
2. 寬帶寬:支持� DC � 12GHz 的寬頻率范圍,非常適合多種無線通信標準�
3.
度:通過預失真等技術可顯著改善線性性能,適合多載波應用�
GA1210Y183MBAAT31G 主要應用于以下領域:
1. 蜂窩基站:支� 4G LTE � 5G NR 系統(tǒng)中的射頻信號放大�
2. 微波通信:用于點對點或點對多點微波鏈路中的功率放大部��
3. 軍事與航空航天:包括相控陣雷�、衛(wèi)星通信等對高可靠性要求的場合�
4. 測試設備:作為信號源或功率放大器,為測試儀器提供穩(wěn)定的高功率輸出�
5. 工業(yè)、科學和�(yī)� (ISM) 領域:如材料處理、等離子體生成等需要高能量的應��
GA1210Y183MBAAT32G, GA1210Y183MBAAT33G