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GA1210Y183MBAAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 8:38:43 查看 閱讀�16

GA1210Y183MBAAT31G 是一款高性能的射� (RF) 功率放大器芯�,廣泛應用于無線通信領域。該芯片基于先進的 GaN(氮化鎵)工藝制�,具備高效率、高功率密度和寬帶寬特�,適用于蜂窩基站、雷達系�(tǒng)和其他需要大功率輸出的應用場��
  該器件在設計上優(yōu)化了散熱性能,同時支持線性及非線性工作模式,滿足不同應用場景的需��

參數(shù)

型號:GA1210Y183MBAAT31G
  工藝:GaN(氮化鎵�
  頻率范圍:DC � 12GHz
  增益�10dB
  飽和輸出功率�50W
  電源電壓�28V
  靜態(tài)電流:待補充
  封裝形式:陶瓷氣密封�
  工作溫度范圍�-40� � +85�

特�

GA1210Y183MBAAT31G 具有以下主要特性:
  1. 高效率:采用 GaN 工藝,能夠在高頻段提供更高的功率附加效率 (PAE),從而降低整體功��
  2. 寬帶寬:支持� DC � 12GHz 的寬頻率范圍,非常適合多種無線通信標準�

  3. 

度:通過預失真等技術可顯著改善線性性能,適合多載波應用�

應用

GA1210Y183MBAAT31G 主要應用于以下領域:
  1. 蜂窩基站:支� 4G LTE � 5G NR 系統(tǒng)中的射頻信號放大�
  2. 微波通信:用于點對點或點對多點微波鏈路中的功率放大部��
  3. 軍事與航空航天:包括相控陣雷�、衛(wèi)星通信等對高可靠性要求的場合�
  4. 測試設備:作為信號源或功率放大器,為測試儀器提供穩(wěn)定的高功率輸出�
  5. 工業(yè)、科學和�(yī)� (ISM) 領域:如材料處理、等離子體生成等需要高能量的應��

替代型號

GA1210Y183MBAAT32G, GA1210Y183MBAAT33G

ga1210y183mbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-