時間：2025/5/19 8:38:43
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GA1210Y183MBAAT31G 是一款高性能的射頻 (RF) 功率放大器芯片，廣泛應用于無線通信領域。該芯片基于先進的 GaN（氮化鎵）工藝制造，具備高效率、高功率密度和寬帶寬特性，適用于蜂窩基站、雷達系統(tǒng)和其他需要大功率輸出的應用場景。
該器件在設計上優(yōu)化了散熱性能，同時支持線性及非線性工作模式，滿足不同應用場景的需求。
型號：GA1210Y183MBAAT31G
工藝：GaN（氮化鎵）
頻率范圍：DC 至 12GHz
增益：10dB
飽和輸出功率：50W
電源電壓：28V
靜態(tài)電流：待補充
封裝形式：陶瓷氣密封裝
工作溫度范圍：-40℃ 至 +85℃
GA1210Y183MBAAT31G 具有以下主要特性：
1. 高效率：采用 GaN 工藝，能夠在高頻段提供更高的功率附加效率 (PAE)，從而降低整體功耗。
2. 寬帶寬：支持從 DC 到 12GHz 的寬頻率范圍，非常適合多種無線通信標準。
3.
度：通過預失真等技術可顯著改善線性性能，適合多載波應用。
GA1210Y183MBAAT31G 主要應用于以下領域：
1. 蜂窩基站：支持 4G LTE 和 5G NR 系統(tǒng)中的射頻信號放大。
2. 微波通信：用于點對點或點對多點微波鏈路中的功率放大部分。
3. 軍事與航空航天：包括相控陣雷達、衛(wèi)星通信等對高可靠性要求的場合。
4. 測試設備：作為信號源或功率放大器，為測試儀器提供穩(wěn)定的高功率輸出。
5. 工業(yè)、科學和醫(yī)療 (ISM) 領域：如材料處理、等離子體生成等需要高能量的應用。
GA1210Y183MBAAT32G, GA1210Y183MBAAT33G
