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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y183MBJAR31G

GA1210Y183MBJAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 0:20:34 查看 閱讀�15

GA1210Y183MBJAR31G 是一款高性能的功率晶體管,屬� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)系列。該型號(hào)廣泛�(yīng)用于需要高效率、低損耗和快速開(kāi)�(guān)特性的電路中,例如電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。它采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供優(yōu)異的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能�

參數(shù)

�(lèi)型:MOSFET
  極性:N-Channel
  最大漏源電�(Vdss)�1200V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�25A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�70mΩ
  柵極電荷(Qg)�65nC
  工作溫度范圍(Top)�-55°C to +150°C
  封裝形式:D2PAK

特�

GA1210Y183MBJAR31G 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少功率損耗并提高整體效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
  4. �(wěn)定的電氣性能,即使在極端溫度條件下也能保持良好的表現(xiàn)�
  5. 封裝�(jiān)固耐用,能夠承受較高的�(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

這款 MOSFET 芯片適用于多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)器件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓功能�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的逆變橋臂組件�
  4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率模塊部分�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
  6. 電動(dòng)�(chē)充電器和其他高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRGB40B12DPBF, FGH09N120AND, STW97N12MD2

ga1210y183mbjar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-