GA1210Y183MBJAR31G 是一款高性能的功率晶體管,屬� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)系列。該型號(hào)廣泛�(yīng)用于需要高效率、低損耗和快速開(kāi)�(guān)特性的電路中,例如電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。它采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供優(yōu)異的�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)性能�
�(lèi)型:MOSFET
極性:N-Channel
最大漏源電�(Vdss)�1200V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�25A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�70mΩ
柵極電荷(Qg)�65nC
工作溫度范圍(Top)�-55°C to +150°C
封裝形式:D2PAK
GA1210Y183MBJAR31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,適用于高壓�(huán)境下的應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少功率損耗并提高整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
4. �(wěn)定的電氣性能,即使在極端溫度條件下也能保持良好的表現(xiàn)�
5. 封裝�(jiān)固耐用,能夠承受較高的�(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
這款 MOSFET 芯片適用于多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)器件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓功能�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的逆變橋臂組件�
4. 太陽(yáng)能逆變器中的功率模塊部分�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
6. 電動(dòng)�(chē)充電器和其他高壓大電流應(yīng)用場(chǎng)��
IRGB40B12DPBF, FGH09N120AND, STW97N12MD2