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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA1210Y183MXAAT31G

GA1210Y183MXAAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 11:07:42 查看 閱讀�12

GA1210Y183MXAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻率開關應用設計。該型號屬于增強型N溝道MOSFET,適用于電源管理、電機驅動和DC-DC轉換器等場景。其采用了先進的制造工�,能夠提供較低的導通電阻和快速的開關性能�
  這款器件具有出色的熱特性和電氣特�,適合需要高效能和低損耗的應用場合。同�,它還具備較強的浪涌電流能力,能夠在惡劣的工作條件下保持�(wěn)��

參數

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�10A
  導通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1290pF
  工作溫度范圍�-55� to 175�
  結溫�175�

特�

GA1210Y183MXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 高速開關能�,支持高頻操作,適應現代電子設備對效率和尺寸的要��
  3. 強大的浪涌電流承受能力,確保在短路或異常情況下依然可靠運��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下長時間工��
  5. 小型封裝設計,節(jié)省PCB空間,方便集成到緊湊型電路中�
  6. 寬廣的工作溫度范�,適應各種工�(yè)和消費類應用場景�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)和AC-DC適配��
  2. 電動工具和家用電器中的電機驅動�
  3. 工業(yè)自動化設備中的電源管理和控制�
  4. 汽車電子系統(tǒng)的DC-DC轉換和負載切��
  5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設備�
  6. 筆記本電腦和服務器的供電模塊�
  GA1210Y183MXAAT31G 的高性能特點使其成為許多高要求應用的理想選擇�

替代型號

GA1210Y185MXAAT31G, IRFZ44N, FDP55N10

ga1210y183mxaat31g參數

  • 現有數量0現貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.018 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-