GA1210Y183MXCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少能��
該型�(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適合在高頻�(yīng)用中使用,其出色的電氣性能使其成為眾多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:30mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)� 15ns,關(guān)斷傳播時(shí)� 20ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252(DPAK�
GA1210Y183MXCAR31G 的主要特性包括:
1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能�,導(dǎo)通電阻較�,從而降低功��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻電路設(shè)�(jì)�
3. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
4. 良好的電磁兼容性(EMC�,減少了對周圍電路的干擾�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
6. 可靠性高,適合長期運(yùn)行的�(yīng)用環(huán)��
該芯片適用于多種�(lǐng)域和場景,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
3. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管��
5. LED�(qū)�(dòng)器和DC-DC�(zhuǎn)換器中的核心功率元件�
6. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率處理模��
IRFZ44N
FDP5500
STP10NK60Z
AUIRF9540