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GA1210Y184JBAAT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 0:22:09 查看 閱讀:14

GA1210Y184JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,專為高效率和低損耗的應用場景設計。該器件采用先進的制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于電源管理、電機驅動以及各種工業(yè)和消費類電子設備中的開關應用。
  該芯片封裝形式緊湊,適合高密度電路板布局,并提供卓越的散熱性能,確保在高負載條件下的穩(wěn)定運行。

參數(shù)

類型:功率 MOSFET
  導通電阻(Rds(on)):5 mΩ
  最大漏源電壓(Vds):60 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  連續(xù)漏極電流(Id):120 A
  功耗:144 W
  封裝形式:TO-247-3L
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y184JBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,有助于降低傳導損耗并提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關能力,支持高頻工作場景,減少磁性元件的體積和成本。
  3. 優(yōu)異的熱性能,能夠承受更高的結溫,延長使用壽命。
  4. 強大的過流保護功能,增強系統(tǒng)的可靠性和安全性。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  6. 緊湊型封裝設計,節(jié)省 PCB 空間。

應用

這款功率 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS),例如 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。
  2. 電機驅動電路,用于控制步進電機、無刷直流電機等。
  3. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模塊。
  4. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和逆變器。
  5. 高效 LED 驅動器和固態(tài)照明解決方案。
  6. 充電器和適配器設計。

替代型號

IRFZ44N
  STP120NF06L
  FDP16N60C
  IXFN120N06T2

ga1210y184jbaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產品狀態(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-