時間：2025/6/3 11:28:53
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GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存儲芯片，通常用于數(shù)據(jù)存儲和處理。該芯片屬于 NAND Flash 存儲器系列，具有高密度、低功耗和快速讀寫速度的特點。適用于消費電子、工業(yè)設(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)等場景。
這款芯片采用了先進的制造工藝，能夠在有限的空間內(nèi)提供大容量的數(shù)據(jù)存儲能力。同時，其穩(wěn)定性和可靠性使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇。
類型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle DDR 2.0
電壓：1.8V
封裝：BGA
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保存時間：10年
擦寫壽命：3000次
GA1210Y184JBXAT31G 具有以下顯著特性：
1. 高速數(shù)據(jù)傳輸：支持 Toggle DDR 2.0 接口，能夠?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)據(jù)讀取和寫入速度。
2. 大容量存儲：單顆芯片即可提供 128GB 的存儲空間，適合需要大容量存儲的應(yīng)用。
3. 低功耗設(shè)計：優(yōu)化的電路設(shè)計降低了整體功耗，延長了設(shè)備的續(xù)航時間。
4. 可靠性高：具備強大的 ECC（錯誤檢查與糾正）功能，確保數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。
5. 廣泛的工作溫度范圍：適應(yīng)各種惡劣環(huán)境，可在 -40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 智能手機和平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)。
2. 工業(yè)控制設(shè)備中的固態(tài)存儲解決方案。
3. 嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)記錄和存儲功能。
4. 監(jiān)控錄像設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)存儲需求。
5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的本地數(shù)據(jù)緩存和存儲。
GA1210Y184JAXAT31G
GA1210Y184JBQAT31G
GA1210Y184JRXAT31G
