GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存儲芯片,通常用于數(shù)據(jù)存儲和處理。該芯片屬于 NAND Flash 存儲器系列,具有高密度、低功耗和快速讀寫速度的特點。適用于消費電子、工業(yè)設(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)等場景。
這款芯片采用了先進的制造工藝,能夠在有限的空間內(nèi)提供大容量的數(shù)據(jù)存儲能力。同時,其穩(wěn)定性和可靠性使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇。
類型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle DDR 2.0
電壓:1.8V
封裝:BGA
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保存時間:10年
擦寫壽命:3000次
GA1210Y184JBXAT31G 具有以下顯著特性:
1. 高速數(shù)據(jù)傳輸:支持 Toggle DDR 2.0 接口,能夠?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)據(jù)讀取和寫入速度。
2. 大容量存儲:單顆芯片即可提供 128GB 的存儲空間,適合需要大容量存儲的應(yīng)用。
3. 低功耗設(shè)計:優(yōu)化的電路設(shè)計降低了整體功耗,延長了設(shè)備的續(xù)航時間。
4. 可靠性高:具備強大的 ECC(錯誤檢查與糾正)功能,確保數(shù)據(jù)的完整性和可靠性。
5. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)各種惡劣環(huán)境,可在 -40°C 至 +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 智能手機和平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)。
2. 工業(yè)控制設(shè)備中的固態(tài)存儲解決方案。
3. 嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)記錄和存儲功能。
4. 監(jiān)控錄像設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)存儲需求。
5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的本地數(shù)據(jù)緩存和存儲。
GA1210Y184JAXAT31G
GA1210Y184JBQAT31G
GA1210Y184JRXAT31G