GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存儲芯�,通常用于�(shù)�(jù)存儲和處�。該芯片屬于 NAND Flash 存儲器系列,具有高密�、低功耗和快速讀寫速度的特�。適用于消費電子、工�(yè)�(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)等場��
這款芯片采用了先進的制造工藝,能夠在有限的空間�(nèi)提供大容量的�(shù)�(jù)存儲能力。同�,其�(wěn)定性和可靠性使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇�
類型:NAND Flash
容量�128GB
接口:Toggle DDR 2.0
電壓�1.8V
封裝:BGA
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保存時間�10�
擦寫壽命�3000�
GA1210Y184JBXAT31G 具有以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,能�?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)�(jù)讀取和寫入速度�
2. 大容量存儲:單顆芯片即可提供 128GB 的存儲空�,適合需要大容量存儲的應(yīng)用�
3. 低功耗設(shè)計:�(yōu)化的電路�(shè)計降低了整體功�,延長了�(shè)備的�(xù)航時��
4. 可靠性高:具備強大的 ECC(錯誤檢查與糾正)功�,確保數(shù)�(jù)的完整性和可靠性�
5. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)各種惡劣�(huán)�,可� -40°C � +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 智能手機和平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)�
2. 工業(yè)控制�(shè)備中的固�(tài)存儲解決方案�
3. 嵌入式系�(tǒng)中的�(shù)�(jù)記錄和存儲功��
4. �(jiān)控錄像設(shè)備中的高速數(shù)�(jù)存儲需��
5. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備中的本地數(shù)�(jù)緩存和存��
GA1210Y184JAXAT31G
GA1210Y184JBQAT31G
GA1210Y184JRXAT31G