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GA1210Y184JBXAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 11:28:53 查看 閱讀�11

GA1210Y184JBXAT31G 是一款高性能的存儲芯�,通常用于�(shù)�(jù)存儲和處�。該芯片屬于 NAND Flash 存儲器系列,具有高密�、低功耗和快速讀寫速度的特�。適用于消費電子、工�(yè)�(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)等場��
  這款芯片采用了先進的制造工藝,能夠在有限的空間�(nèi)提供大容量的�(shù)�(jù)存儲能力。同�,其�(wěn)定性和可靠性使其成為眾多應(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

類型:NAND Flash
  容量�128GB
  接口:Toggle DDR 2.0
  電壓�1.8V
  封裝:BGA
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保存時間�10�
  擦寫壽命�3000�

特�

GA1210Y184JBXAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� Toggle DDR 2.0 接口,能�?qū)崿F(xiàn)更快的數(shù)�(jù)讀取和寫入速度�
  2. 大容量存儲:單顆芯片即可提供 128GB 的存儲空�,適合需要大容量存儲的應(yīng)用�
  3. 低功耗設(shè)計:�(yōu)化的電路�(shè)計降低了整體功�,延長了�(shè)備的�(xù)航時��
  4. 可靠性高:具備強大的 ECC(錯誤檢查與糾正)功�,確保數(shù)�(jù)的完整性和可靠性�
  5. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)各種惡劣�(huán)�,可� -40°C � +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常工作�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 智能手機和平板電腦等消費類電子產(chǎn)品中作為存儲介質(zhì)�
  2. 工業(yè)控制�(shè)備中的固�(tài)存儲解決方案�
  3. 嵌入式系�(tǒng)中的�(shù)�(jù)記錄和存儲功��
  4. �(jiān)控錄像設(shè)備中的高速數(shù)�(jù)存儲需��
  5. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備中的本地數(shù)�(jù)緩存和存��

替代型號

GA1210Y184JAXAT31G
  GA1210Y184JBQAT31G
  GA1210Y184JRXAT31G

ga1210y184jbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-