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GA1210Y184JXBAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/28 11:08:17 查看 閱讀:12

GA1210Y184JXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動等場景。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著提升系統(tǒng)的整體性能。
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,其設(shè)計優(yōu)化了動態(tài)特性和靜態(tài)特性之間的平衡,適用于需要快速開關(guān)和低損耗的應(yīng)用環(huán)境。

參數(shù)

型號:GA1210Y184JXBAR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):1200V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):10A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):150mΩ
  柵極電荷(Qg):65nC
  總電容(Ciss):2000pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

GA1210Y184JXBAR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:支持高達 1200V 的漏源電壓,適合高壓應(yīng)用場景。
  2. 低導(dǎo)通電阻:在額定條件下,導(dǎo)通電阻僅為 150mΩ,可有效降低功耗。
  3. 快速開關(guān)性能:具備較低的柵極電荷和輸入電容,有助于減少開關(guān)損耗。
  4. 寬溫工作范圍:能夠在 -55℃ 至 +175℃ 的極端溫度下穩(wěn)定運行。
  5. 高可靠性:通過多項嚴(yán)格的測試和認證,確保在各種惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。
  6. 小封裝尺寸:便于 PCB 布局和散熱設(shè)計,同時節(jié)省空間。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
  3. 電機驅(qū)動與控制
  4. 太陽能逆變器
  5. 電動汽車(EV)充電設(shè)備
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊
  由于其出色的電氣特性和可靠性,GA1210Y184JXBAR31G 成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。

替代型號

GA1210Y184JXBAR32G, IRFP260N, STP10NK120Z

ga1210y184jxbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-