時間：2025/6/4 3:56:31
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GA1210Y184JXXAT31G 是一款由東芝（Toshiba）生產(chǎn)的溝道型 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有較低的導通電阻和較高的開關(guān)速度，適用于各種高效能電源管理應(yīng)用。其封裝形式為 DPAK（TO-263），適合表面貼裝技術(shù)（SMT），能夠提供出色的散熱性能。
這款 MOSFET 常用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、電機驅(qū)動器以及其他需要高性能開關(guān)的電子電路中。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：40A
導通電阻：4.5mΩ
總柵極電荷：45nC
開關(guān)時間：ton=19ns, toff=17ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 175℃
GA1210Y184JXXAT31G 具有低導通電阻的特點，從而減少了傳導損耗并提高了整體效率。此外，它還具備快速開關(guān)能力，使得它可以適應(yīng)高頻操作環(huán)境。該器件的高電流承載能力和寬泛的工作溫度范圍確保了其在嚴苛條件下也能穩(wěn)定運行。
此 MOSFET 的封裝設(shè)計優(yōu)化了熱傳遞路徑，進一步增強了其可靠性。同時，它的短路耐受能力也經(jīng)過了嚴格測試，能夠在短時間內(nèi)承受異常情況下的過載而不損壞。
該型號廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域中的開關(guān)電源適配器、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器以及電動工具的電池管理系統(tǒng)等場合。另外，在汽車電子設(shè)備中，例如啟動馬達控制器或者 LED 燈光調(diào)節(jié)系統(tǒng)里也可以看到它的身影。
由于 GA1210Y184JXXAT31G 的良好動態(tài)響應(yīng)特性和精確的電流控制功能，它同樣非常適合于現(xiàn)代通信基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)中的多相電壓調(diào)節(jié)模塊（VRM）解決方案。
GA1210Y184JXXBT31G
