GA1210Y184KBXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有出色的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性,非常適合用于需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計(jì)中。
型號(hào):GA1210Y184KBXAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極擊穿電壓:120V
連續(xù)漏極電流:10A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.8mΩ
柵極電荷:65nC
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可減少導(dǎo)通損耗并提升效率。
2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 出色的熱穩(wěn)定性和魯棒性,能夠在極端條件下可靠運(yùn)行。
4. 具備抗雪崩能力和過流保護(hù)功能,增強(qiáng)系統(tǒng)的安全性。
5. 小尺寸封裝,節(jié)省PCB空間,便于緊湊型設(shè)計(jì)。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
1. 開關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
5. 汽車電子中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊