GA1210Y184MXXAT31G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),主要用于高頻開關(guān)�(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能�,適用于各種高效率電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
該型�(hào)屬于東芝� Advanced Super Junction MOSFET 系列,其�(shè)�(jì)目標(biāo)是降低功率損耗并提升系統(tǒng)整體效率�
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
漏源極電�(Vdss)�650V
連續(xù)漏極電流(Id)�17A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
柵極電荷(Qg)�42nC
最大工作結(jié)�(Tjmax)�175°C
封裝形式:TO-247
GA1210Y184MXXAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力:額定漏源極電壓� 650V,能夠滿足高壓應(yīng)用場(chǎng)景的需��
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅� 0.18Ω,有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)性能:柵極電荷較低(42nC),從而實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,并支持高達(dá) 175°C 的工作結(jié)��
5. 小型化封裝:采用 TO-247 封裝,易于安裝且散熱性能�(yōu)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保無鉛設(shè)�(jì),滿足國際環(huán)保法�(guī)要求�
GA1210Y184MXXAT31G 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高可靠性的電力電子�(shè)備中,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)電源 (SMPS)�
- 用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換中的主開關(guān)元件�
2. 逆變器:
- 在太陽能逆變器和其他工業(yè)逆變器中作為功率開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 提供高效的功率控制以�(qū)�(dòng)各類電機(jī)�
4. LED �(qū)�(dòng)器:
- 在大功率 LED 照明系統(tǒng)中用作開�(guān)元件�
5. 工業(yè)�(shè)備:
- �(yīng)用于各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
GA1210Y184MXXBT31G, TPH2R0065WS