GA1210Y222JBLAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高耐壓能力,能夠有效降低能耗并提高系統(tǒng)效率�
其封裝形式為T(mén)O-247,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)具有出色的散熱性能和可靠性�
型號(hào):GA1210Y222JBLAR31G
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�1200V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�31A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�50mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot�360W
�(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247
GA1210Y222JBLAR31G 具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)1200V的工作電�,適用于高壓�(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),減少導(dǎo)通損�,提升整體能��
3. 大電流承載能�,連續(xù)漏極電流高達(dá)31A,滿(mǎn)足高功率需求�
4. 快速開(kāi)�(guān)速度,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能,降低了�(kāi)�(guān)損��
5. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. TO-247封裝提供了良好的散熱性能,�(jìn)一步提升了器件的可靠性和壽命�
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中作為主開(kāi)�(guān)管使��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓升壓功��
4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
5. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁中的功率轉(zhuǎn)換部��
IRFP260N, STP30NF12W, FDP18N12A