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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y222JBLAR31G

GA1210Y222JBLAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 13:52:57 查看 閱讀�15

GA1210Y222JBLAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高耐壓能力,能夠有效降低能耗并提高系統(tǒng)效率�
  其封裝形式為T(mén)O-247,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)具有出色的散熱性能和可靠性�

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y222JBLAR31G
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�1200V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�31A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�50mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  總功耗Ptot�360W
  �(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y222JBLAR31G 具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)1200V的工作電�,適用于高壓�(huán)境下的各種應(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),減少導(dǎo)通損�,提升整體能��
  3. 大電流承載能�,連續(xù)漏極電流高達(dá)31A,滿(mǎn)足高功率需求�
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能,降低了�(kāi)�(guān)損��
  5. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  6. TO-247封裝提供了良好的散熱性能,�(jìn)一步提升了器件的可靠性和壽命�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中作為主開(kāi)�(guān)管使��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓升壓功��
  4. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 新能源領(lǐng)�,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電樁中的功率轉(zhuǎn)換部��

替代型號(hào)

IRFP260N, STP30NF12W, FDP18N12A

ga1210y222jblar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-