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時(shí)間：2025/6/3 11:29:41
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GA1210Y222KBEAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率與可靠性。其采用先進(jìn)的制造工藝，封裝形式為T(mén)O-263，具備良好的散熱能力和機(jī)械穩(wěn)定性。
該器件適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和嚴(yán)格溫控的應(yīng)用場(chǎng)合，例如工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子和通信系統(tǒng)中的電源管理部分。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：40A
導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
總功耗：250W
結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
封裝形式：TO-263
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 強(qiáng)大的散熱設(shè)計(jì)，支持高功率密度的應(yīng)用。
4. 優(yōu)秀的抗雪崩能力和靜電防護(hù)性能，增強(qiáng)了器件的可靠性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且兼容多種現(xiàn)代生產(chǎn)工藝。
1. 開(kāi)關(guān)電源模塊中的功率開(kāi)關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開(kāi)關(guān)管。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)及保護(hù)電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件。
IRFZ44N, FDP5580, AOT291L
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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