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GA1210Y222KBEAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 11:29:41 查看 閱讀:10

GA1210Y222KBEAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率與可靠性。其采用先進(jìn)的制造工藝,封裝形式為T(mén)O-263,具備良好的散熱能力和機(jī)械穩(wěn)定性。
  該器件適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和嚴(yán)格溫控的應(yīng)用場(chǎng)合,例如工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子和通信系統(tǒng)中的電源管理部分。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  總功耗:250W
  結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
  封裝形式:TO-263

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
  3. 強(qiáng)大的散熱設(shè)計(jì),支持高功率密度的應(yīng)用。
  4. 優(yōu)秀的抗雪崩能力和靜電防護(hù)性能,增強(qiáng)了器件的可靠性。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且兼容多種現(xiàn)代生產(chǎn)工藝。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源模塊中的功率開(kāi)關(guān)元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開(kāi)關(guān)管。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
  4. 負(fù)載開(kāi)關(guān)及保護(hù)電路。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)組件。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5580, AOT291L

ga1210y222kbeat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-