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GA1210Y223JBLAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/9 15:42:12 查看 閱讀�4

GA1210Y223JBLAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子設(shè)備中。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱量損��
  其封裝形式為TO-247,這種封裝具有良好的散熱性能,適合大功率�(yīng)用場�。同�,該芯片還內(nèi)置了過溫保護(hù)和過流保�(hù)功能,提升了�(chǎn)品的可靠性和安全��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:2.8mΩ
  柵極電荷�150nC
  開關(guān)頻率�100kHz
  工作溫度范圍�-55℃~175�

特�

GA1210Y223JBLAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 超低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效降低功率損��
  2. 高效的熱管理能力,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
  3. �(nèi)置多重保�(hù)�(jī)制,包括過溫保護(hù)和過流保�(hù),增�(qiáng)器件的安全��
  4. 快速開�(guān)速度,支持高頻應(yīng)用需��
  5. �(wěn)定可靠的電氣性能,在各種�(fù)雜環(huán)境下均能保持正常工作�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

這款功率MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消�(fèi)類應(yīng)用場景,例如�
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流管或高頻開關(guān)��
  3. 電動工具、家用電器及工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)動控制�
  4. 太陽能逆變�、UPS電源和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的系統(tǒng)�
  5. 各種保護(hù)電路,如過壓保護(hù)、短路保�(hù)��

替代型號

IRFP260N, FQA19P12E

ga1210y223jblar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-