GA1210Y223MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于電源管理、電機驅動以及開關電路等領域。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能等特�。它能夠在高頻開關應用中提供�(wěn)定的性能表現(xiàn),并支持大電流負載需��
這款MOSFET屬于N溝道增強型,具有快速開關速度和較低的柵極電荷,適合用于DC-DC轉換器、逆變�、負載開關以及電池管理系�(tǒng)等場景�
型號:GA1210Y223MBBAR31G
類型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源電壓)�120V
Rds(on)(導通電阻)�4.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
Id(連續(xù)漏極電流):100A
Qg(柵極電荷)�36nC
f(工作頻率范圍):最高可�500kHz
封裝形式:TO-247-3L
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1210Y223MBBAR31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低導通損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,支持高頻應用,減少開關損��
3. 高額定漏源電壓(Vds),適用于高壓環(huán)境下的功率轉��
4. 大電流處理能�,可承受高達100A的連續(xù)漏極電流�
5. 出色的熱性能,確保在高溫條件下長期穩(wěn)定運��
6. 小巧緊湊的封裝設計,便于PCB布局并節(jié)省空��
7. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產品的合規(guī)要求�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)和適配器設��
2. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流元��
3. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動�
4. 電動汽車(EV�/混合動力汽車(HEV)中的電池管理與功率控制�
5. 太陽能逆變器和其他新能源相關產品�
6. 負載開關和保護電路中的關鍵組��
IRFP2907, FDP18N12P, STW12NK120Z