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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA1210Y223MBBAR31G

GA1210Y223MBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 17:06:15 查看 閱讀�14

GA1210Y223MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于電源管理、電機驅動以及開關電路等領域。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導通電�、高效率和優(yōu)異的熱性能等特�。它能夠在高頻開關應用中提供�(wěn)定的性能表現(xiàn),并支持大電流負載需��
  這款MOSFET屬于N溝道增強型,具有快速開關速度和較低的柵極電荷,適合用于DC-DC轉換器、逆變�、負載開關以及電池管理系�(tǒng)等場景�

參數(shù)

型號:GA1210Y223MBBAR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  Vds(漏源電壓)�120V
  Rds(on)(導通電阻)�4.5mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  Id(連續(xù)漏極電流):100A
  Qg(柵極電荷)�36nC
  f(工作頻率范圍):最高可�500kHz
  封裝形式:TO-247-3L
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1210Y223MBBAR31G的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低導通損耗,提升系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關速度,支持高頻應用,減少開關損��
  3. 高額定漏源電壓(Vds),適用于高壓環(huán)境下的功率轉��
  4. 大電流處理能�,可承受高達100A的連續(xù)漏極電流�
  5. 出色的熱性能,確保在高溫條件下長期穩(wěn)定運��
  6. 小巧緊湊的封裝設計,便于PCB布局并節(jié)省空��
  7. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產品的合規(guī)要求�

應用

該芯片廣泛應用于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)和適配器設��
  2. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流元��
  3. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅動�
  4. 電動汽車(EV�/混合動力汽車(HEV)中的電池管理與功率控制�
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相關產品�
  6. 負載開關和保護電路中的關鍵組��

替代型號

IRFP2907, FDP18N12P, STW12NK120Z

ga1210y223mbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-