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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y223MBLAT31G

GA1210Y223MBLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 17:55:01 查看 閱讀�3

GA1210Y223MBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)�
  此型�(hào)中的各部分編碼分別代表了其封裝形式、電氣參�(shù)、耐壓等級(jí)以及特殊功能選項(xiàng)等信息。它適用于高效率電力電子�(zhuǎn)換系�(tǒng)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高整體性能�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  電壓 - 漏源極(Vds):1200 V
  電流 - 連續(xù)漏極(Id):16 A
  功耗(Pd):240 W
  柵極電荷(Qg):85 nC
  輸入電容(Ciss):2570 pF
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.8 Ω
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1210Y223MBLAT31G 的主要特性包括壓能力,適合高壓工�(yè)�(yīng)用環(huán)境�
  2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少熱損耗并提升效率�
  3. 快速的開關(guān)速度,確保在高頻工作條件下依然保持高效表�(xiàn)�
  4. �(wěn)定可靠的性能,在極端溫度范圍�-55°C�+150°C)內(nèi)仍能正常�(yùn)行�
  5. �(nèi)置ESD保護(hù)�(jī)�,增�(qiáng)器件抗靜電能力,延長(zhǎng)使用壽命�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款MOSFET芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配�、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電子或工業(yè)控制�(shè)備中�
  3. 逆變器及不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  4. 各種類型的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  5. 能量回收裝置和光伏并�(wǎng)逆變��
  6. 其他需要大功率切換和高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA1210Y222MBLAT31G, IRFP260N, STW97N120K5

ga1210y223mblat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-