GA1210Y223MBLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn)�
此型�(hào)中的各部分編碼分別代表了其封裝形式、電氣參�(shù)、耐壓等級(jí)以及特殊功能選項(xiàng)等信息。它適用于高效率電力電子�(zhuǎn)換系�(tǒng)�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損耗并提高整體性能�
類型:N-Channel MOSFET
電壓 - 漏源極(Vds):1200 V
電流 - 連續(xù)漏極(Id):16 A
功耗(Pd):240 W
柵極電荷(Qg):85 nC
輸入電容(Ciss):2570 pF
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.8 Ω
封裝形式:TO-247-3
GA1210Y223MBLAT31G 的主要特性包括壓能力,適合高壓工�(yè)�(yīng)用環(huán)境�
2. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少熱損耗并提升效率�
3. 快速的開關(guān)速度,確保在高頻工作條件下依然保持高效表�(xiàn)�
4. �(wěn)定可靠的性能,在極端溫度范圍�-55°C�+150°C)內(nèi)仍能正常�(yùn)行�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)�(jī)�,增�(qiáng)器件抗靜電能力,延長(zhǎng)使用壽命�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)�(jì)�
這款MOSFET芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如適配�、充電器��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于汽車電子或工業(yè)控制�(shè)備中�
3. 逆變器及不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
4. 各種類型的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
5. 能量回收裝置和光伏并�(wǎng)逆變��
6. 其他需要大功率切換和高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
GA1210Y222MBLAT31G, IRFP260N, STW97N120K5