GA1210Y272MBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效�、高頻率的開�(guān)電源和電�(jī)�(qū)動等場景。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高可靠性等特點(diǎn),適用于工業(yè)級和消費(fèi)級電子設(shè)��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,通過�(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)�(jì)可以顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使��
類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電壓:120V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�31A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.7mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)時間:開通延遲時� 16ns,關(guān)斷傳播時� 28ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y272MBCAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損�,提升整體效��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場�,能夠降低開�(guān)損��
3. 高額定電流能�,支持高�(dá) 31A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需求�
4. 緊湊且堅(jiān)固的封裝形式,有助于散熱并節(jié)� PCB 布局空間�
5. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
6. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能�,增�(qiáng)可靠性�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
GA1210Y272MBCAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)動和控制電路,例如無刷直流電�(jī) (BLDC) 和步�(jìn)電機(jī)�
3. 工業(yè)逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的�(guān)鍵組��
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
5. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路�
6. 電動車充電裝置及車載電子系統(tǒng)�
7. 高效 LED �(qū)動器�(shè)�(jì)�
IRFZ44N
STP30NF10
FDP16N10
IXTH39N10P