GA1210Y272MBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率、高頻率的開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動等場景。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性和高可靠性等特點(diǎn),適用于工業(yè)級和消費(fèi)級電子設(shè)備。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,通過優(yōu)化柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)可以顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的設(shè)計(jì)中使用。
類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓:120V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:31A
導(dǎo)通電阻(典型值):2.7mΩ
柵極電荷:85nC
開關(guān)時間:開通延遲時間 16ns,關(guān)斷傳播時間 28ns
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
GA1210Y272MBCAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可有效減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率。
2. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場合,能夠降低開關(guān)損耗。
3. 高額定電流能力,支持高達(dá) 31A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需求。
4. 緊湊且堅(jiān)固的封裝形式,有助于散熱并節(jié)省 PCB 布局空間。
5. 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能力,增強(qiáng)可靠性。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
GA1210Y272MBCAR31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動和控制電路,例如無刷直流電機(jī) (BLDC) 和步進(jìn)電機(jī)。
3. 工業(yè)逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。
4. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
5. 各類負(fù)載切換和保護(hù)電路。
6. 電動車充電裝置及車載電子系統(tǒng)。
7. 高效 LED 驅(qū)動器設(shè)計(jì)。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP16N10
IXTH39N10P