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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y273KBAAT31G

GA1210Y273KBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 11:32:52 查看 閱讀�19

GA1210Y273KBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,支持高頻開�(guān)操作,并且具有出色的抗干擾能力和�(wěn)定�,適合各種嚴(yán)苛的工作�(huán)��

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y273KBAAT31G
  類型:N 溝道 MOSFET
  最大漏源電� VDS�120V
  最大柵源電� VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流 ID�15A
  �(dǎo)通電� RDS(on)�1.6mΩ(典型�,VGS=10V�
  柵極電荷 Qg�45nC(典型值)
  開關(guān)�(shí)間:ton=12ns,toff=18ns(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1210Y273KBAAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),能夠減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高�(dá) 1MHz 的開�(guān)頻率�
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,降低開�(guān)�(guò)程中的反向電流沖擊�
  4. 出色的熱性能和散熱設(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. �(qiáng)大的� ESD 和雪崩能�,提升了整體系統(tǒng)的可靠性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,適用于對(duì)�(huán)保要求嚴(yán)格的�(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)或同步整流管�
  2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和控制電��
  6. 各種需要高效功率管理的�(chǎng)��

替代型號(hào)

GA1210Y273KBAAT32G, IRF1404, FDP15N12

ga1210y273kbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-