GA1210Y273KBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,支持高頻開關(guān)操作,并且具有出色的抗干擾能力和穩(wěn)定性,適合各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
型號(hào):GA1210Y273KBAAT31G
類型:N 溝道 MOSFET
最大漏源電壓 VDS:120V
最大柵源電壓 VGS:±20V
連續(xù)漏極電流 ID:15A
導(dǎo)通電阻 RDS(on):1.6mΩ(典型值,VGS=10V)
柵極電荷 Qg:45nC(典型值)
開關(guān)時(shí)間:ton=12ns,toff=18ns(典型值)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA1210Y273KBAAT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),能夠減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,支持高達(dá) 1MHz 的開關(guān)頻率。
3. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,降低開關(guān)過(guò)程中的反向電流沖擊。
4. 出色的熱性能和散熱設(shè)計(jì),確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 強(qiáng)大的抗 ESD 和雪崩能力,提升了整體系統(tǒng)的可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保,適用于對(duì)環(huán)保要求嚴(yán)格的場(chǎng)景。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開關(guān)或同步整流管。
2. 電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和控制電路。
6. 各種需要高效功率管理的場(chǎng)合。
GA1210Y273KBAAT32G, IRF1404, FDP15N12