GA1210Y273MBJAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效�、高頻開�(guān)電源和電機驅(qū)動領(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱性能�
該型號中的部分代碼表示了封裝形式、電氣參�(shù)及特定的�(yīng)用需�,適合工�(yè)級和消費級電子設(shè)備使用�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
開關(guān)頻率:高� 2MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA1210Y273MBJAT31G 的核心優(yōu)勢在于其出色的電氣特性和可靠性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻�(yīng)用場�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC 電路�
3. 強大的散熱設(shè)計,支持更高的持�(xù)電流輸出�
4. �(nèi)� ESD 保護功能,提高了器件在嚴苛環(huán)境下的抗干擾能力�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保且兼容多種表面貼裝工藝�
這款功率 MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和不間斷電源 (UPS)�
2. 工業(yè)電機�(qū)動與控制�
3. 新能源汽車中的逆變器和充電模塊�
4. 高效 LED �(qū)動電��
5. 各種需要高效能量轉(zhuǎn)換的消費類電子產(chǎn)品,例如筆記本適配器和家用電��
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP15U60A
IXFN80N10T2