GA1210Y273MBJAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率、高頻開關(guān)電源和電機驅(qū)動領(lǐng)域。該芯片采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能。
該型號中的部分代碼表示了封裝形式、電氣參數(shù)及特定的應(yīng)用需求,適合工業(yè)級和消費級電子設(shè)備使用。
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
開關(guān)頻率:高達 2MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA1210Y273MBJAT31G 的核心優(yōu)勢在于其出色的電氣特性和可靠性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力,適用于高頻應(yīng)用場合,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 PFC 電路。
3. 強大的散熱設(shè)計,支持更高的持續(xù)電流輸出。
4. 內(nèi)置 ESD 保護功能,提高了器件在嚴苛環(huán)境下的抗干擾能力。
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保且兼容多種表面貼裝工藝。
這款功率 MOSFET 廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和不間斷電源 (UPS)。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動與控制。
3. 新能源汽車中的逆變器和充電模塊。
4. 高效 LED 驅(qū)動電路。
5. 各種需要高效能量轉(zhuǎn)換的消費類電子產(chǎn)品,例如筆記本適配器和家用電器。
IRFZ44N
STP55NF06L
FDP15U60A
IXFN80N10T2