GA1210Y273MBLAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類(lèi)�(kāi)�(guān)電路�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
其封裝形式為 TO-252(DPAK),適用于表面貼裝技�(shù)(SMT�,并且具有出色的熱性能表現(xiàn),適合在�(yán)苛的工作�(huán)境中使用�
型號(hào):GA1210Y273MBLAR31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
Vds(漏源極擊穿電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
Id(持�(xù)漏極電流):120A
Ptot(總功耗)�140W
封裝:TO-252 (DPAK)
f_T(過(guò)渡頻率)�2.5MHz
Vgs(柵源極電壓范圍):-10V � +20V
Qg(柵極電荷)�25nC(最大值)
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
GA1210Y273MBLAR31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用中減少�(dǎo)通損耗并提高效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻工作場(chǎng)�,適合現(xiàn)代高效能電源�(zhuǎn)換設(shè)�(jì)�
3. �(qiáng)大的電流承載能力(Id = 120A�,適用于大功率負(fù)載驅(qū)�(dòng)�
4. 寬泛的工作電壓范圍(Vds = 60V),適應(yīng)多種輸入電壓�(huán)��
5. 小巧� DPAK 封裝,方� PCB 布局�(shè)�(jì)且具備良好的散熱性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
7. 耐高溫設(shè)�(jì),最高結(jié)溫可�(dá) +175°C,確保在極端條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
GA1210Y273MBLAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流器和主�(kāi)�(guān)元件�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和 DC-DC �(zhuǎn)換模��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制與保護(hù)電路�
5. LED 照明�(qū)�(dòng)器及高亮� LED 控制�
6. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管理單��
7. 各類(lèi)電池充電器及能源管理系統(tǒng)中的核心功率器件�
IRFZ44N
STP120NF60
FDP158N65A
AON6900
AO3400