GA1210Y273MXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電力電子領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,在低導(dǎo)通電阻和高效率方面表現(xiàn)出色。它支持大電流操作,具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力。
這款MOSFET具有N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu),能夠提供高效的開關(guān)性能,并適用于多種工業(yè)與消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理解決方案。
類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):45A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
功耗(Pd):260W
結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247
GA1210Y273MXLAT31G 的核心優(yōu)勢(shì)在于其低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),使得在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中損耗顯著降低,從而提高整體效率。
此外,該器件具備快速開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并優(yōu)化電磁兼容性表現(xiàn)。
它的熱性能優(yōu)異,可承受較高的結(jié)溫和瞬態(tài)浪涌電流,適合于惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
同時(shí),其穩(wěn)健的短路耐受能力和內(nèi)置的ESD保護(hù)機(jī)制進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性。
該型號(hào)廣泛用于各種高功率密度的電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件。
2. 工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路。
3. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系統(tǒng)(BMS)及逆變器模塊。
4. 高效節(jié)能的家電產(chǎn)品,例如空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)、洗衣機(jī)變頻控制器等。
5. 大功率LED照明系統(tǒng)的恒流源設(shè)計(jì)。
由于其出色的電氣性能和可靠性,GA1210Y273MXLAT31G 成為眾多工程師在功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的首選方案之一。
GA1210Y274KXLAT31G, IRFZ44N, FDP5580N