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GA1210Y273MXLAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 20:50:46 查看 閱讀:9

GA1210Y273MXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電力電子領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,在低導(dǎo)通電阻和高效率方面表現(xiàn)出色。它支持大電流操作,具備良好的熱穩(wěn)定性和抗浪涌能力。
  這款MOSFET具有N溝道增強(qiáng)型結(jié)構(gòu),能夠提供高效的開關(guān)性能,并適用于多種工業(yè)與消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理解決方案。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):45A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.8mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
  功耗(Pd):260W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210Y273MXLAT31G 的核心優(yōu)勢(shì)在于其低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),使得在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中損耗顯著降低,從而提高整體效率。
  此外,該器件具備快速開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并優(yōu)化電磁兼容性表現(xiàn)。
  它的熱性能優(yōu)異,可承受較高的結(jié)溫和瞬態(tài)浪涌電流,適合于惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)行。
  同時(shí),其穩(wěn)健的短路耐受能力和內(nèi)置的ESD保護(hù)機(jī)制進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性。

應(yīng)用

該型號(hào)廣泛用于各種高功率密度的電力電子設(shè)備中,包括但不限于以下場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件。
  2. 工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制電路。
  3. 新能源汽車內(nèi)的電池管理系統(tǒng)(BMS)及逆變器模塊。
  4. 高效節(jié)能的家電產(chǎn)品,例如空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng)、洗衣機(jī)變頻控制器等。
  5. 大功率LED照明系統(tǒng)的恒流源設(shè)計(jì)。
  由于其出色的電氣性能和可靠性,GA1210Y273MXLAT31G 成為眾多工程師在功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用中的首選方案之一。

替代型號(hào)

GA1210Y274KXLAT31G, IRFZ44N, FDP5580N

ga1210y273mxlat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-