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GA1210Y274MBJAT31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/26 22:41:54 查看 閱讀:20

GA1210Y274MBJAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動和負載切換等場景。該芯片采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻、高耐壓和快速開關速度的特點,適合對效率和可靠性要求較高的應用環(huán)境。
  其封裝形式為行業(yè)標準的 TO-263(D2PAK),便于安裝和散熱設計。此外,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣性能,能夠滿足工業(yè)級和消費級電子產(chǎn)品的多種需求。

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:120V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:50A
  導通電阻(典型值):1.8mΩ
  總功耗:150W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝:TO-263(D2PAK)

特性

GA1210Y274MBJAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,有助于降低功率損耗并提高整體效率。
  2. 快速開關能力,適用于高頻開關電源和其他高頻應用場景。
  3. 高耐壓設計,可承受高達 120V 的漏源電壓,增強了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
  4. 寬廣的工作溫度范圍,使其能夠在惡劣環(huán)境下正常運行。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠。
  6. 內(nèi)置 ESD 保護功能,提高了器件的抗靜電能力。
  這些特性使得 GA1210Y274MBJAT31G 成為眾多電力電子應用的理想選擇。

應用

該芯片的主要應用領域包括:
  1. 開關電源 (SMPS) 中的主開關管或同步整流管。
  2. 電機驅(qū)動中的功率控制元件。
  3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換開關。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機控制和電源管理。
  5. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  由于其出色的電氣特性和可靠性,GA1210Y274MBJAT31G 在各種功率轉(zhuǎn)換和控制場景中表現(xiàn)出色。

替代型號

IRFZ44N
  STP55NF06L
  FDP5500
  IXYS IXFN50N120T2

ga1210y274mbjat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.27 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-