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GA1210Y332JXLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 11:35:14 查看 閱讀�16

GA1210Y332JXLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提升整體性能�
  此器件屬于溝道增�(qiáng)型功� MOSFET,其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dòng)�(tài)和靜�(tài)參數(shù),確保在高頻開關(guān)條件下仍能保持高效運(yùn)行。此�,該芯片具有出色的熱�(wěn)定性和抗干擾能�,適合對可靠性和耐用性要求較高的工業(yè)及消�(fèi)類電子產(chǎn)��

參數(shù)

型號:GA1210Y332JXLAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  總柵極電�(Qg)�85nC
  輸入電容(Ciss)�2900pF
  輸出電容(Coss)�130pF
  反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�45ns
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y332JXLAT31G 的主要特�(diǎn)包括�
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,得益于較低的柵極電� Qg 和反向恢�(fù)�(shí)� trr,非常適合高頻應(yīng)��
  3. 高電流承載能�,支持高�(dá) 40A 的連續(xù)漏極電流,滿足大功率需求�
  4. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境條件�
  5. �(qiáng)大的散熱性能,采用標(biāo)�(zhǔn) TO-247 封裝,便于安裝和熱量管理�
  6. 具備�(yōu)異的電氣�(wěn)定性,能夠在復(fù)雜電路中提供可靠的保�(hù)功能�
  這些特性使得該芯片成為多種功率�(zhuǎn)換和控制�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1210Y332JXLAT31G 廣泛�(yīng)用于以下場景�
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
  3. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源設(shè)��
  4. 電動(dòng)車充電模塊及相關(guān)電力管理系統(tǒng)�
  5. 高效�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  由于其卓越的性能和可靠�,這款 MOSFET 特別適合需要高效率、高頻率和高功率密度的設(shè)�(jì)�

替代型號

GA1210Y332JXLAT31H, IRF3205, FDP5800

ga1210y332jxlat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-