GA1210Y333JXCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電源和電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高電流處理能�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款芯片屬于 N 溝道增強� MOSFET,其�(shè)計旨在滿足工�(yè)和消費電子領(lǐng)�?qū)Ω咝芎托⌒突骷男枨蟆?/p>
型號:GA1210Y333JXCAR31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓Vds�120V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�33A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�280W
�(jié)溫范圍Tj�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247
GA1210Y333JXCAR31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
2. 高電流承載能力,可支持高� 33A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
4. 強大的熱性能,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工作�
5. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒性和可靠��
6. 小尺寸封�,便于集成到緊湊型設(shè)計中�
這些特性使� GA1210Y333JXCAR31G 成為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
該芯片適用于多種�(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動和逆變器中的功率級元件�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護電路�
5. 光伏逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
由于其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,GA1210Y333JXCAR31G 在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提供穩(wěn)定的運行和高效的能源管理�
IRFZ44N
STP30NF10
FDP150N10SBD
IXFN180N10T2