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GA1210Y333JXCAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/30 13:49:56 查看 閱讀:14

GA1210Y333JXCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源和電機驅(qū)動等領(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
  這款芯片屬于 N 溝道增強型 MOSFET,其設(shè)計旨在滿足工業(yè)和消費電子領(lǐng)域?qū)Ω咝芎托⌒突骷男枨蟆?/p>

參數(shù)

型號:GA1210Y333JXCAR31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓Vds:120V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  連續(xù)漏極電流Id:33A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  總功耗Ptot:280W
  結(jié)溫范圍Tj:-55°C至+175°C
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210Y333JXCAR31G 具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于減少導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
  2. 高電流承載能力,可支持高達 33A 的連續(xù)漏極電流。
  3. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
  4. 強大的熱性能,能夠在極端溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
  5. 高雪崩能量能力,增強了器件的魯棒性和可靠性。
  6. 小尺寸封裝,便于集成到緊湊型設(shè)計中。
  這些特性使得 GA1210Y333JXCAR31G 成為需要高效能和高可靠性的應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

該芯片適用于多種應(yīng)用場合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電機驅(qū)動和逆變器中的功率級元件。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換。
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護電路。
  5. 光伏逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  由于其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,GA1210Y333JXCAR31G 在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠提供穩(wěn)定的運行和高效的能源管理。

替代型號

IRFZ44N
  STP30NF10
  FDP150N10SBD
  IXFN180N10T2

ga1210y333jxcar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.033 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-