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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA1210Y334KXAAR31G

GA1210Y334KXAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 3:52:34 查看 閱讀�14

GA1210Y334KXAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅動和工業(yè)控制等領�。該芯片具有低導通電�、高開關速度以及良好的熱�(wěn)定性等特性,能夠有效提升系統(tǒng)效率并減少能��
  這款 MOSFET 采用增強型設�,支持大電流負載,并具備出色的耐壓性能,確保在各種復雜工作�(huán)境下仍能�(wěn)定運行�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓�650V
  額定電流�30A
  導通電阻(最大)�80mΩ
  柵極電荷(典型值)�90nC
  連續(xù)漏極電流�30A
  功耗:200W
  結溫范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y334KXAAR31G 的主要特性包括以下幾點:
  1. 極低的導通電�,能夠在高電流應用中顯著降低功率損��
  2. 快速開關能�,適合高頻開關電源及逆變器應��
  3. 高擊穿電壓,提供可靠的過壓保護功��
  4. 內置 ESD 保護電路,增強了器件對靜電放電的抵抗能力�
  5. �(yōu)秀的熱性能設計,即使在高功率條件下也能維持較低的工作溫��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�

應用

該型號適用于多種電子領域中的核心組件,具體包括:
  1. 開關電源(SMPS)設�,用于提高效率和減小體積�
  2. 工業(yè)電機驅動,實�(xiàn)高效能量轉換�
  3. 太陽能逆變器系�(tǒng),優(yōu)化能源利��
  4. 電動汽車充電樁內的功率調節(jié)模塊�
  5. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS�,保障充放電過程的安全與�(wěn)��
  6. 電信設備中的 DC-DC 轉換�,為通信基礎設施提供可靠供電�

替代型號

IRFP250N
  FDP58N65
  STP30NF65

ga1210y334kxaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.33 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-