GA1210Y334MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提高系�(tǒng)效率并減少能量損耗�
這款功率MOSFET適用于需要高效能和可靠性的�(yīng)用場�,其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)化設(shè)�,可以滿足多種工�(yè)和消費類電子�(shè)備的需��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�12V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�100A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.3mΩ(在Vgs=10V時)
功耗:50W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y334MBBAR31G具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低�(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)用場�,減少開�(guān)損��
3. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
4. �(qiáng)大的浪涌電流承受能力,確保在異常條件下不會輕易損��
5. 小尺寸封裝設(shè)計,節(jié)省PCB板空�,適合緊湊型�(shè)計需��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市��
GA1210Y334MBBAR31G主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級控��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
3. 電動工具、家用電器等電機(jī)�(qū)動電��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)及逆變器驅(qū)��
6. 各種過流保護(hù)和快速切換場��
IRF3205
STP120NF10L
FDP16N10