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GA1210Y334MBBAR31G 發(fā)布時間 時間:2025/5/26 15:18:21 查看 閱讀:12

GA1210Y334MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。
  這款功率MOSFET適用于需要高效能和可靠性的應(yīng)用場景,其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,可以滿足多種工業(yè)和消費類電子設(shè)備的需求。

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):12V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(Id):100A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.3mΩ(在Vgs=10V時)
  功耗:50W
  工作溫度范圍:-55℃至+175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210Y334MBBAR31G具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低導(dǎo)通損耗,提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)性能,支持高頻應(yīng)用場合,減少開關(guān)損耗。
  3. 出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
  4. 強(qiáng)大的浪涌電流承受能力,確保在異常條件下不會輕易損壞。
  5. 小尺寸封裝設(shè)計,節(jié)省PCB板空間,適合緊湊型設(shè)計需求。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適用于全球市場。

應(yīng)用

GA1210Y334MBBAR31G主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率級控制。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
  3. 電動工具、家用電器等電機(jī)驅(qū)動電路。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)。
  5. 新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)及逆變器驅(qū)動。
  6. 各種過流保護(hù)和快速切換場景。

替代型號

IRF3205
  STP120NF10L
  FDP16N10

ga1210y334mbbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.33 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-