GA1210Y562MBEAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著提升電路性能并降低能耗�
該型號屬于增�(qiáng)型N溝道MOSFET系列,適合高頻開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式為TO-247-3,具有良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適用于需要大電流處理能力的場��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻:0.08Ω
柵極電荷�60nC
輸入電容�1200pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
GA1210Y562MBEAR31G的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)650V的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.08Ω),有效減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(60nC�,可支持高頻工作需求�
4. 采用TO-247-3封裝,提供出色的散熱性能,適合大功率�(yīng)用場��
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用要��
6. 具備較高的電氣可靠性和�(jī)械強(qiáng)�,延長使用壽��
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 太陽能逆變�
6. 不間斷電源(UPS�
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電保護(hù)
IRFZ44N
STP12NM65
FDP18N65S
IXYS IXFN120N65T2