GA1210Y563JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻�(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
該芯片設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化效率和散熱性能,同�(shí)具備出色的耐用性和可靠性。其封裝形式通常為表面貼裝型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效散熱�
型號(hào):GA1210Y563JBAAR31G
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓Vds�120V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�10A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot�80W
�(jié)溫范圍Tj�-55℃至+175�
封裝:TO-263-3L(D2PAK�
GA1210Y563JBAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
3. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠適�(yīng)寬泛的工作溫度范��
5. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),支持高密度電路板布局�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
GA1210Y563JBAAR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配器中的功率轉(zhuǎn)��
2. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)器,例如�(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 控制�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器模塊�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制與保護(hù)電路�
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和�(wěn)壓功能�
GA1210Y563JBAAR31G, IRFZ44N, FDP5802, AO3400