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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y563JBAAR31G

GA1210Y563JBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 17:58:10 查看 閱讀�4

GA1210Y563JBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高頻�(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域�
  該芯片設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化效率和散熱性能,同�(shí)具備出色的耐用性和可靠性。其封裝形式通常為表面貼裝型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效散熱�

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y563JBAAR31G
  �(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�120V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�10A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗Ptot�80W
  �(jié)溫范圍Tj�-55℃至+175�
  封裝:TO-263-3L(D2PAK�

特�

GA1210Y563JBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 高雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
  4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠適�(yīng)寬泛的工作溫度范��
  5. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),支持高密度電路板布局�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

GA1210Y563JBAAR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配器中的功率轉(zhuǎn)��
  2. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)器,例如�(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 控制�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器模塊�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制與保護(hù)電路�
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和�(wěn)壓功能�

替代型號(hào)

GA1210Y563JBAAR31G, IRFZ44N, FDP5802, AO3400

ga1210y563jbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-