型號(hào)：GA1210Y563JXCAR31G
　　類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：1200V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　最大漏極電流(Id)：10A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.15Ω
　　功耗(PD)：180W
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-220

GA1210Y563JXCAR31G具備低導(dǎo)通電阻，能夠顯著降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。同時(shí)，其高擊穿電壓使其適用于高壓環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。此外，該器件還擁有快速開(kāi)關(guān)特性和較低的輸入電容，從而減少了開(kāi)關(guān)損耗。
　　該芯片采用了優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了散熱能力，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。其堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)使其在惡劣的工作條件下依然表現(xiàn)出色。

該芯片廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源(UPS)、逆變器、工業(yè)電機(jī)控制、電動(dòng)汽車充電設(shè)備等領(lǐng)域。由于其高電壓耐受能力和大電流處理能力，特別適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換和嚴(yán)格溫控要求的場(chǎng)景。此外，在光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)單元中也常見(jiàn)其身影。

GA1210Y563JXCAL31G
　　IRFP260N
　　FQA14P120E