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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y563JXCAR31G

GA1210Y563JXCAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 18:33:20 查看 閱讀�6

GA1210Y563JXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為TO-220,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)景�

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y563JXCAR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.15Ω
  功�(PD)�180W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220

特�

GA1210Y563JXCAR31G具備低導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率。同�(shí),其高擊穿電壓使其適用于高壓�(huán)境下的電路設(shè)�(jì)。此�,該器件還擁有快速開(kāi)�(guān)特性和較低的輸入電容,從而減少了�(kāi)�(guān)損��
  該芯片采用了�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了散熱能力,能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。其�(jiān)固耐用的設(shè)�(jì)使其在惡劣的工作條件下依然表�(xiàn)出色�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、不間斷電源(UPS)、逆變器、工�(yè)電機(jī)控制、電�(dòng)汽車充電�(shè)備等�(lǐng)�。由于其高電壓耐受能力和大電流處理能力,特別適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換和�(yán)格溫控要求的�(chǎng)�。此外,在光伏逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)單元中也常見(jiàn)其身��

替代型號(hào)

GA1210Y563JXCAL31G
  IRFP260N
  FQA14P120E

ga1210y563jxcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-