GA1210Y563JXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為TO-220,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)景�
型號(hào):GA1210Y563JXCAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.15Ω
功�(PD)�180W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
GA1210Y563JXCAR31G具備低導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率。同�(shí),其高擊穿電壓使其適用于高壓�(huán)境下的電路設(shè)�(jì)。此�,該器件還擁有快速開(kāi)�(guān)特性和較低的輸入電容,從而減少了�(kāi)�(guān)損��
該芯片采用了�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),增�(qiáng)了散熱能力,能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�。其�(jiān)固耐用的設(shè)�(jì)使其在惡劣的工作條件下依然表�(xiàn)出色�
該芯片廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、不間斷電源(UPS)、逆變器、工�(yè)電機(jī)控制、電�(dòng)汽車充電�(shè)備等�(lǐng)�。由于其高電壓耐受能力和大電流處理能力,特別適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換和�(yán)格溫控要求的�(chǎng)�。此外,在光伏逆變器和�(fēng)力發(fā)電系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)單元中也常見(jiàn)其身��
GA1210Y563JXCAL31G
IRFP260N
FQA14P120E