GA1210Y563JXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為TO-220,適合大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
型號(hào):GA1210Y563JXCAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):1200V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大漏極電流(Id):10A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.15Ω
功耗(PD):180W
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-220
GA1210Y563JXCAR31G具備低導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。同時(shí),其高擊穿電壓使其適用于高壓環(huán)境下的電路設(shè)計(jì)。此外,該器件還擁有快速開(kāi)關(guān)特性和較低的輸入電容,從而減少了開(kāi)關(guān)損耗。
該芯片采用了優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),增強(qiáng)了散熱能力,能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。其堅(jiān)固耐用的設(shè)計(jì)使其在惡劣的工作條件下依然表現(xiàn)出色。
該芯片廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源(UPS)、逆變器、工業(yè)電機(jī)控制、電動(dòng)汽車充電設(shè)備等領(lǐng)域。由于其高電壓耐受能力和大電流處理能力,特別適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換和嚴(yán)格溫控要求的場(chǎng)景。此外,在光伏逆變器和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)單元中也常見(jiàn)其身影。
GA1210Y563JXCAL31G
IRFP260N
FQA14P120E