GA1210Y563JXJAT31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管,專(zhuān)為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于多種電源管理場(chǎng)景。
其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和散熱優(yōu)化。此外,該器件還具備出色的耐熱性能和靜電防護(hù)能力,確保在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
型號(hào):GA1210Y563JXJAT31G
類(lèi)型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
額定電壓:120V
額定電流:40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
柵極電荷:95nC(最大值)
輸入電容:1700pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝:TO-263-3L
GA1210Y563JXJAT31G 提供了卓越的電氣性能,包括超低的導(dǎo)通電阻和高效的開(kāi)關(guān)速度。這些特性使得該器件非常適合用于需要高效率和低損耗的應(yīng)用中。
此外,它還具有以下特點(diǎn):
- 超低導(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損耗。
- 快速開(kāi)關(guān)性能支持高頻操作。
- 高度可靠的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以適應(yīng)惡劣的工作條件。
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料。
- 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,能夠承受較高的結(jié)溫。
這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)以及各類(lèi)開(kāi)關(guān)電源解決方案。
其主要應(yīng)用包括:
- 工業(yè)設(shè)備中的功率控制。
- 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品的適配器和充電器。
- 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的電源模塊。
- 電動(dòng)車(chē)及混合動(dòng)力汽車(chē)的電池管理系統(tǒng)。
- LED 照明驅(qū)動(dòng)電路等高效節(jié)能場(chǎng)景。
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