GA1210Y563KXJAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,能夠提供高效率和低導(dǎo)通電阻的特�,從而減少能量損耗并提高系統(tǒng)性能�
這款芯片屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)��
型號(hào):GA1210Y563KXJAR31G
類型:功� MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�31A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.06Ω
功�(PD)�310W
工作溫度范圍�-55� � +175�
柵極電荷(Qg)�180nC
GA1210Y563KXJAR31G 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:高�(dá) 1200V 的漏源電�,使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
2. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá) 31A,滿足大功率�(yīng)用需��
3. 低導(dǎo)通電阻:� 0.06Ω 的導(dǎo)通電阻有效減少了傳導(dǎo)損�,提升了整體效率�
4. 快速開�(guān)速度:低柵極電荷�(shè)�(jì)確保了快速的開關(guān)性能,降低了開關(guān)損耗�
5. 寬工作溫度范圍:� -55� � +175� 的工作溫度范圍使其適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)��
6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測(cè)試,確保�(zhǎng)�(shí)間使用的�(wěn)定��
GA1210Y563KXJAR31G 可用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):包括無刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電�(jī)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如伺服驅(qū)�(dòng)器和逆變��
4. 汽車電子:如電動(dòng)車牽引逆變器和車載充電��
5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):用于電池管理系�(tǒng)中的充放電控��
6. UPS 不間斷電源:為關(guān)鍵設(shè)備提供穩(wěn)定的備用電源支持�
GA1210Y563KXJAR31A, IRFP460, STW83N120K5