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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y563KXJAR31G

GA1210Y563KXJAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 20:15:00 查看 閱讀�13

GA1210Y563KXJAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,能夠提供高效率和低導(dǎo)通電阻的特�,從而減少能量損耗并提高系統(tǒng)性能�
  這款芯片屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,適用于各種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y563KXJAR31G
  類型:功� MOSFET
  封裝:TO-247
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�31A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.06Ω
  功�(PD)�310W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  柵極電荷(Qg)�180nC

特�

GA1210Y563KXJAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:高�(dá) 1200V 的漏源電�,使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  2. 大電流承載能力:連續(xù)漏極電流可達(dá) 31A,滿足大功率�(yīng)用需��
  3. 低導(dǎo)通電阻:� 0.06Ω 的導(dǎo)通電阻有效減少了傳導(dǎo)損�,提升了整體效率�
  4. 快速開�(guān)速度:低柵極電荷�(shè)�(jì)確保了快速的開關(guān)性能,降低了開關(guān)損耗�
  5. 寬工作溫度范圍:� -55� � +175� 的工作溫度范圍使其適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)��
  6. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量測(cè)試,確保�(zhǎng)�(shí)間使用的�(wěn)定��

�(yīng)�

GA1210Y563KXJAR31G 可用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):包括無刷直流電�(jī)(BLDC)和其他類型的電�(jī)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如伺服驅(qū)�(dòng)器和逆變��
  4. 汽車電子:如電動(dòng)車牽引逆變器和車載充電��
  5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng):用于電池管理系�(tǒng)中的充放電控��
  6. UPS 不間斷電源:為關(guān)鍵設(shè)備提供穩(wěn)定的備用電源支持�

替代型號(hào)

GA1210Y563KXJAR31A, IRFP460, STW83N120K5

ga1210y563kxjar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-