GA1210Y563MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和開關電路等領�。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能。其設計旨在滿足工業(yè)和消費電子市場對高效能和可靠性的需��
型號:GA1210Y563MBBAR31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-247
VDS(漏源電壓)�1200V
RDS(on)(導通電阻)�0.05Ω
ID(連續(xù)漏極電流):56A
功耗:280W
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1210Y563MBBAR31G具有以下關鍵特性:
1. 低導通電阻設計能夠顯著減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力使其適用于高壓應用場�,如電動汽車充電器和工業(yè)電源�
3. 快速開關特性減少了開關損耗,提升了高頻操作下的性能�
4. 強大的散熱能力確保在高負載條件下也能保持�(wěn)定運��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該芯片適用于多種應用領域,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機�(qū)�
3. 太陽能逆變�
4. 電動汽車充電模塊
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
6. LED�(qū)動器
其廣泛的適用性得益于其卓越的電氣特性和可靠��
IRFP460, FQA140N120, STP100N120K5