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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1210Y563MBBAR31G

GA1210Y563MBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 14:05:36 查看 閱讀�15

GA1210Y563MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和開關電路等領�。該芯片采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能。其設計旨在滿足工業(yè)和消費電子市場對高效能和可靠性的需��

參數(shù)

型號:GA1210Y563MBBAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝:TO-247
  VDS(漏源電壓)�1200V
  RDS(on)(導通電阻)�0.05Ω
  ID(連續(xù)漏極電流):56A
  功耗:280W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GA1210Y563MBBAR31G具有以下關鍵特性:
  1. 低導通電阻設計能夠顯著減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高耐壓能力使其適用于高壓應用場�,如電動汽車充電器和工業(yè)電源�
  3. 快速開關特性減少了開關損耗,提升了高頻操作下的性能�
  4. 強大的散熱能力確保在高負載條件下也能保持�(wěn)定運��
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�

應用

該芯片適用于多種應用領域,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機�(qū)�
  3. 太陽能逆變�
  4. 電動汽車充電模塊
  5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
  6. LED�(qū)動器
  其廣泛的適用性得益于其卓越的電氣特性和可靠��

替代型號

IRFP460, FQA140N120, STP100N120K5

ga1210y563mbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-