型號(hào)：GA1210Y564JXXAR31G
　　類(lèi)型：MOSFET
　　極性：N-Channel
　　漏源電壓(Vdss)：120V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：10A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4.5mΩ
　　柵極電荷(Qg)：45nC
　　功耗(PD)：120W
　　工作溫度范圍：-55°C to +175°C
　　封裝形式：TO-263-3

GA1210Y564JXXAR31G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有效減少功率損耗。
　　2. 高開(kāi)關(guān)速度，支持高頻應(yīng)用。
　　3. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在極端溫度條件下正常運(yùn)行。
　　4. 提供強(qiáng)大的過(guò)流保護(hù)功能，確保系統(tǒng)安全。
　　5. 小型化封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省 PCB 空間。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

這款 MOSFET 芯片適用于多種場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
　　3. 電池管理系統(tǒng) (BMS)。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　5. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換。
　　6. 通信設(shè)備中的信號(hào)調(diào)節(jié)與功率管理。

GA1210Y564JXXBR31G, IRFZ44N, FDP16N12L