GA1210Y683JBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,在提供高效能的同�(shí),確保了出色的可靠性和�(wěn)定��
這款功率 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于設(shè)�(jì)和安��
型號(hào):GA1210Y683JBAAT31G
類型:N-Channel MOSFET
電壓(Vds):120 V
電流(Id):31 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ
柵極電荷(Qg):70 nC
功耗:360 W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GA1210Y683JBAAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高擊穿電壓能�,能夠在高電壓條件下�(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗干擾能力�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保設(shè)�(jì)�
6. 支持大電流輸�,滿足多種功率應(yīng)用場(chǎng)景的需求�
7. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),有助于延長(zhǎng)使用壽命�
這些特點(diǎn)使得 GA1210Y683JBAAT31G 成為需要高效、可靠功率管理方案的理想選擇�
GA1210Y683JBAAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS),用于高效能量轉(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器,支持各種電壓調(diào)節(jié)需��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,適用于家用電器、工�(yè)�(shè)備等�(chǎng)��
4. 電動(dòng)工具中的功率輸出�(jí),提供強(qiáng)勁動(dòng)��
5. 太陽(yáng)能逆變器,助力可再生能源利��
6. 通信電源系統(tǒng),保證穩(wěn)定的電力供應(yīng)�
7. 汽車電子�(shè)�,如車載充電器和電動(dòng)車控制器�
憑借其卓越的性能,GA1210Y683JBAAT31G 在眾多行�(yè)中得到了廣泛�(yīng)用�
IRFZ44N
STP36NF06L
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