GA1210Y683JXAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升電路效率并降低功耗�
該型號屬于溝道增�(qiáng)型MOSFET,具體為N溝道類型,廣泛適用于需要高效能和可靠性的電子系統(tǒng)��
最大漏源電壓:120V
最大連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�6.8mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1500pF
總功耗:15W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1210Y683JXAAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少導(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. 采用DPAK封裝形式,提供良好的散熱性能�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,提高器件抗靜電能力�
該器件的主要�(yīng)用場景包括:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 電動工具和家用電器的電機(jī)�(qū)動控��
3. 汽車電子中的�(fù)載切換與保護(hù)�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器及逆變器設(shè)�(jì)�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. LED照明�(qū)動電��
GA1210Y683JXAAR31F, IRFZ44N, FDP5570N