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GA1210Y683MBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 11:43:54 查看 閱讀�17

GA1210Y683MBBAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于開�(guān)和放大電路中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及電源管理模��
  這款芯片以其�(yōu)異的效率和可靠性而著�,適用于需要高效功率處理的�(yīng)用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大漏極電流:120A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�95nC
  開關(guān)速度:非?�?br>  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210Y683MBBAR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 高額定電流能力,支持大功率應(yīng)��
  3. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損��
  4. 出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  6. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,便于集成到緊湊型系�(tǒng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 工業(yè)�(shè)備中的電源管理解決方��
  2. 電動車和混合動力汽車中的電機(jī)控制�
  3. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
  4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的快速充電模��
  其卓越的性能使其成為眾多功率密集型應(yīng)用場景的理想選擇�

替代型號

IRFZ44N
  FDP5580
  STP120NF10L

ga1210y683mbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-