GA1210Y683MBBAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要用于開�(guān)和放大電路中。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合用于各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及電源管理模��
這款芯片以其�(yōu)異的效率和可靠性而著�,適用于需要高效功率處理的�(yīng)用場景�
最大漏源電壓:60V
最大漏極電流:120A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�95nC
開關(guān)速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210Y683MBBAR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高整體效��
2. 高額定電流能力,支持大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損��
4. 出色的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
6. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,便于集成到緊湊型系�(tǒng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)�(shè)備中的電源管理解決方��
2. 電動車和混合動力汽車中的電機(jī)控制�
3. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
4. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
5. 各類消費(fèi)電子�(chǎn)品的快速充電模��
其卓越的性能使其成為眾多功率密集型應(yīng)用場景的理想選擇�
IRFZ44N
FDP5580
STP120NF10L