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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y683MBXAR31G

GA1210Y683MBXAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 18:27:13 查看 閱讀�10

GA1210Y683MBXAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),適用于高效�、高頻開(kāi)�(guān)電源�(yīng)用。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率和可靠��
  此型�(hào)通常用于需要高電流承載能力和高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和電池充電電路��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  電壓等級(jí)�60V
  最大漏極電流:140A
  �(dǎo)通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�75nC
  �(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 1MHz
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y683MBXAR31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅� 1.2mΩ,這使得它在大電流�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色。此�,該器件還具備以下特性:
  1. 高效率:由于其低�(dǎo)通電�,可以有效減少導(dǎo)通損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能:較低的柵極電荷允許更快的開(kāi)�(guān)速度,從而降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采� TO-247 封裝,具有良好的散熱性能�
  4. 高可靠性:通過(guò)了嚴(yán)格的電氣和機(jī)械測(cè)試,確保�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  這些特點(diǎn)� GA1210Y683MBXAR31G 成為眾多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1210Y683MBXAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 電動(dòng)�(chē)輛(EV/HEV)中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 太陽(yáng)能逆變�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直流電�(jī)控制
  5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換模�
  6. 大功� LED �(qū)�(dòng)�
  其強(qiáng)大的性能和靈活性使其能夠在多種�(fù)雜環(huán)境中�(fā)揮關(guān)鍵作用�

替代型號(hào)

GA1210Y683MBXAR21G
  IRF740
  STP140N06L
  FDP18N06L

ga1210y683mbxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-