GA1210Y683MBXAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),適用于高效�、高頻開(kāi)�(guān)電源�(yīng)用。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率和可靠��
此型�(hào)通常用于需要高電流承載能力和高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和電池充電電路��
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
電壓等級(jí)�60V
最大漏極電流:140A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá) 1MHz
封裝形式:TO-247
GA1210Y683MBXAR31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電�,僅� 1.2mΩ,這使得它在大電流�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色。此�,該器件還具備以下特性:
1. 高效率:由于其低�(dǎo)通電�,可以有效減少導(dǎo)通損��
2. 快速開(kāi)�(guān)性能:較低的柵極電荷允許更快的開(kāi)�(guān)速度,從而降低開(kāi)�(guān)損��
3. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):采� TO-247 封裝,具有良好的散熱性能�
4. 高可靠性:通過(guò)了嚴(yán)格的電氣和機(jī)械測(cè)試,確保�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
這些特點(diǎn)� GA1210Y683MBXAR31G 成為眾多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
GA1210Y683MBXAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. 電動(dòng)�(chē)輛(EV/HEV)中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
3. 太陽(yáng)能逆變�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直流電�(jī)控制
5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換模�
6. 大功� LED �(qū)�(dòng)�
其強(qiáng)大的性能和靈活性使其能夠在多種�(fù)雜環(huán)境中�(fā)揮關(guān)鍵作用�
GA1210Y683MBXAR21G
IRF740
STP140N06L
FDP18N06L