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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y683MXAAT31G

GA1210Y683MXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 9:55:54 查看 閱讀�9

GA1210Y683MXAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該芯片主要�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效能功率管理的電子設(shè)備中�
  其高可靠性與低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),使得它在眾多功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景下具有顯著的優(yōu)�(shì)�

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y683MXAAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵極源極電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�45A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ (典型�,在Vgs=10V�(shí))
  功�(Ptot)�30W
  工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247-3L

特�

GA1210Y683MXAAT31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其超低的�(dǎo)通電阻,這可以有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。同�(shí),該�(chǎn)品具備快速開�(guān)性能和良好的熱穩(wěn)定��
  此外,它的耐高溫能力也使其適用于極端環(huán)境下的應(yīng)用需�,如工業(yè)�(jí)電源、汽車電子和新能源領(lǐng)域中的光伏逆變�。芯片內(nèi)部集成有保護(hù)電路,可防止�(guò)流及�(guò)溫情況發(fā)�,從而提高了整體系統(tǒng)的安全��

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛用于各種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)合,包括但不限于以下方面�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)�
  2. 電動(dòng)車輛�(qū)�(dòng)控制器中的功率模�
  3. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
  4. 光伏逆變器中的功率管理單�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制
  由于其出色的電氣性能,此型號(hào)特別適合需要高效率、高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA1210Y683MXAAT32G, IRF840, FDP5500

ga1210y683mxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-