GA1210Y683MXAAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該芯片主要�(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效能功率管理的電子設(shè)備中�
其高可靠性與低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),使得它在眾多功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景下具有顯著的優(yōu)�(shì)�
型號(hào):GA1210Y683MXAAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵極源極電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ (典型�,在Vgs=10V�(shí))
功�(Ptot)�30W
工作溫度范圍(Ta)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247-3L
GA1210Y683MXAAT31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其超低的�(dǎo)通電阻,這可以有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。同�(shí),該�(chǎn)品具備快速開�(guān)性能和良好的熱穩(wěn)定��
此外,它的耐高溫能力也使其適用于極端環(huán)境下的應(yīng)用需�,如工業(yè)�(jí)電源、汽車電子和新能源領(lǐng)域中的光伏逆變�。芯片內(nèi)部集成有保護(hù)電路,可防止�(guò)流及�(guò)溫情況發(fā)�,從而提高了整體系統(tǒng)的安全��
這款MOSFET廣泛用于各種功率�(zhuǎn)換場(chǎng)合,包括但不限于以下方面�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)�
2. 電動(dòng)車輛�(qū)�(dòng)控制器中的功率模�
3. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
4. 光伏逆變器中的功率管理單�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制
由于其出色的電氣性能,此型號(hào)特別適合需要高效率、高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
GA1210Y683MXAAT32G, IRF840, FDP5500