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GA1210Y684JXXAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 13:27:32 查看 閱讀:12

GA1210Y684JXXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的場(chǎng)景。該芯片基于先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低功耗。
  該型號(hào)是針對(duì)工業(yè)級(jí)應(yīng)用設(shè)計(jì)的產(chǎn)品,其封裝形式通常為表面貼裝型(SMD),適合自動(dòng)化生產(chǎn)和高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

類型:功率 MOSFET
  工作電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:12A
  導(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷:35nC
  最大結(jié)溫:175°C
  封裝:TO-263
  工作溫度范圍:-55°C 至 175°C

特性

GA1210Y684JXXAR31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))可以減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力使其適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
  3. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持正常工作。
  4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)機(jī)制,增強(qiáng)了芯片的可靠性。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛設(shè)計(jì)。
  6. 封裝緊湊,適合空間受限的設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  3. 工業(yè)設(shè)備中用于負(fù)載切換和保護(hù)功能。
  4. 新能源汽車中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊。
  5. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換組件。

替代型號(hào)

IRFZ44N, STP12NM65, FDP12N65C

ga1210y684jxxar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.68 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-