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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y684KBAAR31G

GA1210Y684KBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 11:11:04 查看 閱讀�13

GA1210Y684KBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該芯片廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中。其�(shè)�(jì)采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,從而降低功耗并提升系統(tǒng)效率�

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  持續(xù)漏極電流Id�100A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�4mΩ
  柵極電荷Qg�50nC
  總功耗Ptot�100W
  工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�

特�

GA1210Y684KBAAR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損��
  2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需求�
  4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,適用于高溫�(huán)境下的長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行�
  5. 緊湊的封裝形�,有助于節(jié)� PCB 空間�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)器件�
  2. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元��
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 新能源汽�(chē)的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變器模��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
  6. 高效 LED �(qū)�(dòng)器和其他功率管理單元�

替代型號(hào)

IRF3205, SI4490DY-T1-E3, FDP15N60E

ga1210y684kbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-