GA1210Y684KBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該芯片廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中。其�(shè)�(jì)采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度,從而降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
�(lèi)型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
持續(xù)漏極電流Id�100A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�4mΩ
柵極電荷Qg�50nC
總功耗Ptot�100W
工作溫度范圍Tj�-55℃至+175�
GA1210Y684KBAAR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少�(dǎo)通損��
2. 高電流處理能�,支持高�(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需求�
4. �(qiáng)大的熱穩(wěn)定�,適用于高溫�(huán)境下的長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行�
5. 緊湊的封裝形�,有助于節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中�
這款功率 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源中的主開(kāi)�(guān)器件�
2. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 新能源汽�(chē)的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變器模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控��
6. 高效 LED �(qū)�(dòng)器和其他功率管理單元�
IRF3205, SI4490DY-T1-E3, FDP15N60E