GA1210Y684KXJAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率控制的應(yīng)用場景。該芯片采用了先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適合在高溫環(huán)境下長時間穩(wěn)定工作。
這款芯片的主要特點是其優(yōu)異的電氣特性和可靠性,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,便于安裝和散熱。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:120A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:120nC
開關(guān)速度:50ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1210Y684KXJAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著減少功率損耗。
2. 高速開關(guān)能力,適用于高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 內(nèi)置過流保護和熱關(guān)斷功能,提升了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
4. 采用堅固耐用的封裝技術(shù),能夠在惡劣的工作條件下保持長期穩(wěn)定運行。
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠。
6. 支持大電流輸出,滿足高功率應(yīng)用需求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動與控制。
3. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 新能源汽車的逆變器及電池管理系統(tǒng)。
5. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
6. 大功率 LED 驅(qū)動電路。
IRFP2907, FDP18N65C3, STP120NF60