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GA1210Y822JXEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 20:47:24 查看 閱讀�13

GA1210Y822JXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款功率 MOSFET 支持增強(qiáng)型設(shè)�(jì)(Enhancement Mode�,具� N 溝道�(jié)�(gòu),能夠在高頻條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.5 mΩ
  擊穿電壓(Vds):120 V
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.4 V
  最大漏極電流(Id):82 A
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y822JXEAT31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(� 6.5 mΩ),這使得它在大電流�(yīng)用場(chǎng)景中能夠有效減少傳導(dǎo)損�。此外,該器件還具有快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg�,從而減少了開關(guān)損��
  其高擊穿電壓�120 V)和寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C)確保了其在惡劣�(huán)境下的可靠性和�(wěn)定��
  由于采用了先�(jìn)的制程工�,該器件還具有良好的熱特性和抗靜電能力(ESD Protection�。這些特性使其非常適合用于工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)�,如高效� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)(BMS�、逆變器等�

�(yīng)�

GA1210Y822JXEAT31G 廣泛�(yīng)用于需要高效率和大電流處理能力的場(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控�
  - 太陽能逆變�
  - 電動(dòng)汽車(EV)及混合�(dòng)力汽車(HEV)中的電池管理系�(tǒng)
  - 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
  其強(qiáng)大的性能和可靠性使得它成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

GA1210Y822JXEAT31, IRF840, FDP18N12

ga1210y822jxeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-