GA1210Y822JXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式技�(shù)制�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
這款功率 MOSFET 支持增強(qiáng)型設(shè)�(jì)(Enhancement Mode�,具� N 溝道�(jié)�(gòu),能夠在高頻條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)�
類型:N溝道 MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):6.5 mΩ
擊穿電壓(Vds):120 V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.4 V
最大漏極電流(Id):82 A
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1210Y822JXEAT31G 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(� 6.5 mΩ),這使得它在大電流�(yīng)用場(chǎng)景中能夠有效減少傳導(dǎo)損�。此外,該器件還具有快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg�,從而減少了開關(guān)損��
其高擊穿電壓�120 V)和寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +175°C)確保了其在惡劣�(huán)境下的可靠性和�(wěn)定��
由于采用了先�(jìn)的制程工�,該器件還具有良好的熱特性和抗靜電能力(ESD Protection�。這些特性使其非常適合用于工�(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)�,如高效� DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管理系�(tǒng)(BMS�、逆變器等�
GA1210Y822JXEAT31G 廣泛�(yīng)用于需要高效率和大電流處理能力的場(chǎng)景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
- 開關(guān)模式電源(SMPS�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控�
- 太陽能逆變�
- 電動(dòng)汽車(EV)及混合�(dòng)力汽車(HEV)中的電池管理系�(tǒng)
- 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
其強(qiáng)大的性能和可靠性使得它成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇�
GA1210Y822JXEAT31, IRF840, FDP18N12